II-VI獲超$1億碳化硅襯底多年協(xié)議 助力5G建設(shè)

  ICCSZ訊（編譯：Nina）日前，工程材料和化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者II-VI公司(納斯達(dá)克：IIVI)宣布，它已簽署了一項(xiàng)價(jià)值超過1億美元的多年協(xié)議。這是II-VI歷史上最大的一筆協(xié)議，旨在供應(yīng)碳化硅(SiC)襯底，用于部署在5G無(wú)線基站中的氮化鎵(GaN)RF功率放大器。

  5G無(wú)線服務(wù)的加速部署正在推動(dòng)5G無(wú)線供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)中更深的戰(zhàn)略關(guān)系。II-VI獲得這項(xiàng)新協(xié)議，是基于其作為全球領(lǐng)先的4G和5G市場(chǎng)高質(zhì)量碳化硅襯底供應(yīng)商的豐富經(jīng)驗(yàn)。

  II-VI寬帶隙半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部副總裁Gary Ruland博士表示：“與基于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的器件相比，碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)RF功率放大器在從低千兆赫茲到毫米波段的5G寬工作頻率范圍內(nèi)均具有卓越的性能。由于我們長(zhǎng)期以來(lái)以更大的基板直徑和行業(yè)領(lǐng)先的晶體質(zhì)量推動(dòng)該技術(shù)的發(fā)展，客戶樂意與II-VI建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。II-VI最近推出了世界上第一個(gè)半絕緣的200mm碳化硅襯底，幫助客戶在將來(lái)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模?！?

  II-VI利用擁有30項(xiàng)有效專利的強(qiáng)大知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，通過包括晶體生長(zhǎng)、襯底制造和拋光在內(nèi)的高度差異化和專有技術(shù)，不斷提高碳化硅襯底的技術(shù)水平。II-VI還通過建立垂直集成的150mm碳化硅基氮化鎵HEMT器件制造平臺(tái)來(lái)擴(kuò)展其驅(qū)動(dòng)5G RF半導(dǎo)體路線圖的能力。除了碳化硅襯底外，II-VI還為無(wú)線光接入基礎(chǔ)設(shè)施提供一系列功能強(qiáng)大的波長(zhǎng)管理解決方案和收發(fā)器?？傊?，II-VI提供廣泛的材料、組件、器件和子系統(tǒng)，以支持即將來(lái)臨的5G大規(guī)模部署。