II-VI獲超$1億碳化硅襯底多年協(xié)議 助力5G建設

  ICCSZ訊（編譯：Nina）日前，工程材料和化合物半導體領域的領導者II-VI公司(納斯達克：IIVI)宣布，它已簽署了一項價值超過1億美元的多年協(xié)議。這是II-VI歷史上最大的一筆協(xié)議，旨在供應碳化硅(SiC)襯底，用于部署在5G無線基站中的氮化鎵(GaN)RF功率放大器。

  5G無線服務的加速部署正在推動5G無線供應鏈生態(tài)系統(tǒng)中更深的戰(zhàn)略關系。II-VI獲得這項新協(xié)議，是基于其作為全球領先的4G和5G市場高質(zhì)量碳化硅襯底供應商的豐富經(jīng)驗。

  II-VI寬帶隙半導體業(yè)務部副總裁Gary Ruland博士表示：“與基于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的器件相比，碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)RF功率放大器在從低千兆赫茲到毫米波段的5G寬工作頻率范圍內(nèi)均具有卓越的性能。由于我們長期以來以更大的基板直徑和行業(yè)領先的晶體質(zhì)量推動該技術的發(fā)展，客戶樂意與II-VI建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。II-VI最近推出了世界上第一個半絕緣的200mm碳化硅襯底，幫助客戶在將來擴大生產(chǎn)規(guī)模?！?

  II-VI利用擁有30項有效專利的強大知識產(chǎn)權組合，通過包括晶體生長、襯底制造和拋光在內(nèi)的高度差異化和專有技術，不斷提高碳化硅襯底的技術水平。II-VI還通過建立垂直集成的150mm碳化硅基氮化鎵HEMT器件制造平臺來擴展其驅(qū)動5G RF半導體路線圖的能力。除了碳化硅襯底外，II-VI還為無線光接入基礎設施提供一系列功能強大的波長管理解決方案和收發(fā)器。總之，II-VI提供廣泛的材料、組件、器件和子系統(tǒng)，以支持即將來臨的5G大規(guī)模部署。