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OneChip推出數(shù)據(jù)中心互聯(lián)PIC 100G器件

摘要:OneChip推出新的基于100Gbps光互聯(lián)應用產(chǎn)品,該產(chǎn)品性能遠遠優(yōu)于被代替技術(shù),包括那些基于硅光子的。

        【訊石光通訊咨詢網(wǎng)】OneChip推出新的基于PIC100Gbps光互聯(lián)應用產(chǎn)品,尤其是在數(shù)據(jù)中心應用中。公司表示,基于PIC的產(chǎn)品性能遠遠優(yōu)于被替代的技術(shù),包括那些基于硅光子的。

        公司推出該新產(chǎn)品主要是針對光收發(fā)器供應商,他們希望將100Gbps能力轉(zhuǎn)到QSFP封裝。產(chǎn)品利用OneChip的InP MGVI(Multi-Guide Vertical Integration多導向垂直集成)工藝流程,該流程使用單個的外延生長步驟可以創(chuàng)造多功能器件。

        利用PIC方法在成本、功耗和制造復雜性方面較單獨器件具有巨大優(yōu)勢。公司表示MGVI遠遠優(yōu)于硅光子方式。

        該100G產(chǎn)品擴展線包括:

        100GbE LR4 WDM iRx(4x25G集成收發(fā)器),與802.3ba標準兼容的單芯片設計,集成了WDM和SSC(spot-size converter,模斑轉(zhuǎn)換器)的四個PIN光電二極管,現(xiàn)正在測試100GbE PSM4 iRx(4x25G 平行單模),平行光纖單芯片設計,四個PIN光電二極管,現(xiàn)正在測試100GbE PSM4 iTx(4x25G 平行單模),也是平行光纖單芯設計,一個DFB激光器分成四個電吸收調(diào)制器(EAMs ,electro-absorption modulators),有一個SSC(spot-size converter,模斑轉(zhuǎn)換器),2013Q2開始測試。


        100GE LR4 iTx(4x25G集成轉(zhuǎn)發(fā)器),與802.3ba標準兼容的單芯片設計,四個DFB激光器,四個集成WDM和SSC的EAMs(電吸收調(diào)制器,electro-absorption modulators),2013Q4開始測試。

        公司也推出了一對40G PICs:

        40GbE LR4 iRx(4x10G集成接收器),與802.3ba標準設計兼容,集成WDM和SSC的PIN光電二極管,現(xiàn)正在測試。

        40GbE LR4 iTx(4x10G集成收發(fā)器),與802.3ba標準設計兼容,帶SSC的10G DML,2013Q2開始測試。

        Onechip也在為數(shù)據(jù)中心互聯(lián)應用開發(fā)基于PIC100GbE PSM4 TROSAs。

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