CIOE 2020 | 華興激光：充沛產(chǎn)能面向光通信應(yīng)用 具備多種光芯片材料外延能力

  ICC訊 CIOE2020期間，化合物半導(dǎo)體光電子外延材料供應(yīng)商江蘇華興激光科技有限公司(簡稱華興激光)隆重展出國產(chǎn)外延片產(chǎn)品，包括2/3/4英寸InP基激光外延片、2/3/4英寸InP基探測外延片、2/3/4/6英寸GaAs基高功率激光外延片等，國產(chǎn)光芯片外延材料的發(fā)展獲得現(xiàn)場客戶的高度關(guān)注。

江蘇華興激光科技有限公司展臺(tái)

  據(jù)了解，半導(dǎo)體激光器可以先后分為外延工藝、芯片工藝和封裝工藝，華興激光便專注在前道外延工藝(Epi-wafer)上，使用先進(jìn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備，發(fā)揮中科院半導(dǎo)體所在材料外延上的技術(shù)積累，為激光器芯片做好前道工序服務(wù)，而材料外延也是光芯片制備工藝的核心環(huán)節(jié)，其晶格質(zhì)量直接決定光芯片的工作性能。

  據(jù)介紹，華興激光專注于化合物半導(dǎo)體光電子外延產(chǎn)品，面向高速光通信和高功率型光加工領(lǐng)域應(yīng)用，具備多種光芯片材料外延能力。

  目前，公司GaAs、InP基激光外延片(折合2inch)年產(chǎn)能可達(dá)10萬片以上，具備充裕產(chǎn)能滿足市場需求。

  在光通信應(yīng)用方面，公司可批量供應(yīng)1270nm/1310nm2.5G 小發(fā)散角DFB外延片及高速10G、25G DFB外延片。在25G產(chǎn)品上，公司產(chǎn)品涵蓋CWDM 6波到LWDM 12波整個(gè)DML產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品已通過客戶多批次5000小時(shí)加速老化認(rèn)證。

  在GaAs基產(chǎn)品方面， 華興激光推出多款大功率FP/DFB激光外延片，尤其是面向激光雷達(dá)(LiDAR)應(yīng)用而推出的905nm GaAs基高功率激光外延片性能指標(biāo)達(dá)國際先進(jìn)水平并穩(wěn)定批量出貨。980nm GaAs基高功率激光外延片單管連續(xù)出光功率大于20W，電光轉(zhuǎn)化效率大于60%，邁入業(yè)內(nèi)一流水平。

  此外，華興激光在高速PD/APD外延片制造上同樣積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，掌握高性能外延制造技術(shù)，為客戶提供定制化代工服務(wù)。

華興激光總經(jīng)理羅帥(中)與訊石團(tuán)隊(duì)合影

  華興激光是國內(nèi)首家專注于化合物半導(dǎo)體光電子外延片研發(fā)和生產(chǎn)的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司建有包括50余臺(tái)套薄膜材料外延(MOCVD)、微納結(jié)構(gòu)加工(全息/電子束光刻)以及晶圓檢測設(shè)備在內(nèi)的先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，掌握完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的2英寸-6英寸砷化鎵(GaAs)基和磷化銦(InP)基半導(dǎo)體激光(LD)和探測(PD)外延片量產(chǎn)技術(shù)，其中，1310/1550 nm波段10G/25G DFB LD/PD/APD外延片、808/905/915/980/1064 nm FP/DFB LD外延片等產(chǎn)品性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于5G通信、激光雷達(dá)、激光泵浦、激光顯示等領(lǐng)域。