CIOE 2020 | 華興激光：充沛產能面向光通信應用 具備多種光芯片材料外延能力

  ICC訊 CIOE2020期間，化合物半導體光電子外延材料供應商江蘇華興激光科技有限公司(簡稱華興激光)隆重展出國產外延片產品，包括2/3/4英寸InP基激光外延片、2/3/4英寸InP基探測外延片、2/3/4/6英寸GaAs基高功率激光外延片等，國產光芯片外延材料的發(fā)展獲得現場客戶的高度關注。

江蘇華興激光科技有限公司展臺

  據了解，半導體激光器可以先后分為外延工藝、芯片工藝和封裝工藝，華興激光便專注在前道外延工藝(Epi-wafer)上，使用先進的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備，發(fā)揮中科院半導體所在材料外延上的技術積累，為激光器芯片做好前道工序服務，而材料外延也是光芯片制備工藝的核心環(huán)節(jié)，其晶格質量直接決定光芯片的工作性能。

  據介紹，華興激光專注于化合物半導體光電子外延產品，面向高速光通信和高功率型光加工領域應用，具備多種光芯片材料外延能力。

  目前，公司GaAs、InP基激光外延片(折合2inch)年產能可達10萬片以上，具備充裕產能滿足市場需求。

  在光通信應用方面，公司可批量供應1270nm/1310nm2.5G 小發(fā)散角DFB外延片及高速10G、25G DFB外延片。在25G產品上，公司產品涵蓋CWDM 6波到LWDM 12波整個DML產品系列。該系列產品已通過客戶多批次5000小時加速老化認證。

  在GaAs基產品方面， 華興激光推出多款大功率FP/DFB激光外延片，尤其是面向激光雷達(LiDAR)應用而推出的905nm GaAs基高功率激光外延片性能指標達國際先進水平并穩(wěn)定批量出貨。980nm GaAs基高功率激光外延片單管連續(xù)出光功率大于20W，電光轉化效率大于60%，邁入業(yè)內一流水平。

  此外，華興激光在高速PD/APD外延片制造上同樣積累了豐富經驗，掌握高性能外延制造技術，為客戶提供定制化代工服務。

華興激光總經理羅帥(中)與訊石團隊合影

  華興激光是國內首家專注于化合物半導體光電子外延片研發(fā)和生產的國家高新技術企業(yè)。公司建有包括50余臺套薄膜材料外延(MOCVD)、微納結構加工(全息/電子束光刻)以及晶圓檢測設備在內的先進化合物半導體生產線，掌握完全自主知識產權的2英寸-6英寸砷化鎵(GaAs)基和磷化銦(InP)基半導體激光(LD)和探測(PD)外延片量產技術，其中，1310/1550 nm波段10G/25G DFB LD/PD/APD外延片、808/905/915/980/1064 nm FP/DFB LD外延片等產品性能達到國際先進水平，廣泛應用于5G通信、激光雷達、激光泵浦、激光顯示等領域。