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CIOE 2024 | 國科光芯800G/1.6T TFLN/SiN異質集成硅光芯片 展位號11D83

摘要:國科光芯將攜子公司凱偉佩科參展CIOE 2024,展出800G/1.6T TFLN/SiN 異質集成硅光芯片、FMCW激光雷達光引擎、消費類激光雷達以及可調諧窄線寬激光器等系列產(chǎn)品,展位號11D83(光通信應用)、6B45 (傳感應用)。

  ICC訊 2024年9月11日-13日,第二十五屆中國國際光電博覽會(CIOE中國光博會)將在深圳國際會展中心隆重舉辦。來自全球超30個國家和地區(qū)的超3700家優(yōu)質企業(yè)匯聚深圳,共赴一場覆蓋光電應用全產(chǎn)業(yè)鏈的行業(yè)盛會。

  本次展會,國科光芯(海寧)科技股份有限公司將攜子公司凱偉佩科(海寧)光電有限公司,重點面向光通信及傳感兩大領域,展出800G/1.6T TFLN/SiN 異質集成硅光芯片、FMCW激光雷達光引擎、消費類激光雷達以及可調諧窄線寬激光器等系列產(chǎn)品。

  展位1信息通信展館:11D83(光通信應用)

  展位2智能傳感展館:6B45 (傳感應用)

  兩大應用領域產(chǎn)品同時展出,誠摯邀請各位行業(yè)朋友蒞臨展臺觀展交流!!!

  國科光芯自成立以來,一直專注于氮化硅(SiN)技術平臺的研究與創(chuàng)新,掌握核心芯片流片技術,致力于成為全球領先硅光芯片技術及整體解決方案公司。經(jīng)過多年的工藝迭代和技術積累,國科光芯成功打通了8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺,實現(xiàn)了傳輸損耗0.1dB/cm的氮化硅硅光芯片量產(chǎn)能力,工藝良率超95%?;诔墒炜闪慨a(chǎn)的氮化硅工藝技術,公司開發(fā)并搭建氮化硅(SiN)與薄膜鈮酸鋰(TFLN)異質集成技術平臺,充分發(fā)揮SiN傳輸?shù)蛽p耗以及TFLN高帶寬的性能優(yōu)勢,

  本次國科光芯光通信應用展臺重點展出800G/1.6T TFLN/SiN異質集成硅光芯片,助力AI應用智算中心高速光互聯(lián)。

  1.6T DR8 TFLN/SiN Tx PIC 產(chǎn)品特性:

  · SiN and TFLN heterogeneous integration technology

  · Integrated 8 optical lanes, each supports 106.25GBaud data transmission rate

  · One LD input drives 4 optical lanes, with total on-chip loss is 13.7dB in typical

  · Operating wavelength range is from 1304.5nm to 1317.5nm

  · Modulator 3dB EO bandwidth > 67GHz with Vpi < 3.0V

  · Large spot size SSC design with I/O optical coupling loss is < 1.5dB, respectively

  屆時現(xiàn)場將展出公司最新技術進展以及更多高速芯片解決方案,歡迎各位光通信行業(yè)專家蒞臨國科光芯展臺(11D83)參觀指導。

內容來自:訊石光通訊網(wǎng)
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文章標題:CIOE 2024 | 國科光芯800G/1.6T TFLN/SiN異質集成硅光芯片 展位號11D83
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