優(yōu)秀技術獎丨長光華芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片

  12月28日，訊石英雄榜頒獎典禮在蘇州順利舉辦，光通信領域專家從參選產(chǎn)品的技術、成本、市場占有率、客戶滿意度和第三方權威驗證等數(shù)據(jù)，并結合經(jīng)營業(yè)績、增長率、研發(fā)強度、專利等，評定出2023年度訊石英雄榜上榜單位。

  長光華芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片榮獲第十屆訊石英雄榜優(yōu)秀技術獎。

優(yōu)秀技術獎獲獎企業(yè)合影

長光華芯獲獎產(chǎn)品

  長光華芯單波100Gbps (56Gbaud四電平脈沖幅度調制(PAM4))電吸收調制器激光二極管(EML)芯片：

  支持四個波長的粗波分復用(CWDM)，達到了使用4顆芯片實現(xiàn)400Gbps傳輸速率，或8顆芯片實現(xiàn)800Gbps傳輸速率的應用目標。

  采用脊波導結構，支持4個CWDM波長-1271、1291、1311和1331nm，允許不同波長的光信號在單個光纖中復用，從而減少所需要的光纖數(shù)量。

  電吸收調制器調制速率達56GBd，可使用56GBd PAM4信號支持112Gb/s，具有高功率、低功耗、高帶寬、低RIN，oDSP直驅、高可靠性的優(yōu)點。

  符合RoHS標準和Telcordia GR-468標準，是當前400G/800G 超算數(shù)據(jù)中心互連光模塊的核心器件。

  長光華芯2012年成立于蘇州，采用IDM模式，突破外延生長、芯片制造、封測各環(huán)節(jié)關鍵技術及工藝，擁有半導體激光行業(yè)中最大的6吋生產(chǎn)線。構建了砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和氮化鎵(GaN)三大材料體系，具備邊發(fā)射和面發(fā)射兩大芯片結構技術和工藝生產(chǎn)平臺。

長光華芯IDM全流程工藝平臺

  在光通信方面，長光華芯從2010年就開始了磷化銦激光芯片產(chǎn)線的布局，經(jīng)過多年的攻關和籌備，長光華芯已攻克材料外延生長的精確控制和穩(wěn)定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題，致力于高速率光通信芯片的設計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。目前長光華芯已向市場批量供應高速光通信激光芯片、光電探測器芯片等多個產(chǎn)品類別，產(chǎn)品性能指標先進。

  目前長光華芯10G EML、100mW CW DFB、50G PAM4 VCSEL、56GBd PAM4 EML CoC等多款產(chǎn)品已向市場批量供應，應用覆蓋接入網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心場景下的10G、100G-800G速率的多種應用。

  同時結合AI時代數(shù)據(jù)中心DC建設對核心光芯片的需求，公司也在全力研發(fā)攻克更高性能水平光通信芯片產(chǎn)品的技術和工藝難點，助力海內外客戶和彌補行業(yè)缺芯痛點。

  長光華芯光通信系列產(chǎn)品，讓通信和超算搭上“光速”！