ICC訊 近日,首款國(guó)產(chǎn)化 110GHz 電光強(qiáng)度調(diào)制器產(chǎn)品在國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)研制成功,并獲多家產(chǎn)業(yè)客戶驗(yàn)證和訂購(gòu)。該調(diào)制器以國(guó)產(chǎn)薄膜鈮酸鋰芯片為核心,可在 C 和 L 波段工作,具有超高帶寬、超高速率、低啁啾、低驅(qū)動(dòng)電壓、高線性度等特性,其 3dB 帶寬高達(dá) 110GHz,是我國(guó)首款帶寬突破 110GHz 的電光調(diào)制器產(chǎn)品,關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,將廣泛應(yīng)用于光通信、光互連、光計(jì)算、光電測(cè)試測(cè)量、微波光子等寬帶光電子信息系統(tǒng)。
110GHz 電光調(diào)制器實(shí)物圖
高速電光調(diào)制器的主要功能是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào),是光電子系統(tǒng)不可或缺的核心器件。隨著光電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,對(duì)電光調(diào)制器的帶寬、速率上的要求也不斷增加。目前,我國(guó)僅能研制生產(chǎn)帶寬 40GHz 以內(nèi)的電光調(diào)制器產(chǎn)品,而帶寬超過(guò) 67GHz 的電光調(diào)制器被美日等少數(shù)公司壟斷,且價(jià)格昂貴,嚴(yán)重威脅產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展。
為盡快補(bǔ)齊我國(guó)高端光電子器件供應(yīng)鏈這一短板,國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心三年磨一劍,攻克并掌握了超高帶寬調(diào)制器芯片、RF高性能傳輸基板、高頻電學(xué)互連焊接工藝、管殼腔體諧振抑制等關(guān)鍵技術(shù),核心芯片和零部件實(shí)現(xiàn)全部國(guó)產(chǎn)化,今年相繼發(fā)布 40GHz、60GHz和 90GHz 三款高帶寬光強(qiáng)度調(diào)制器產(chǎn)品,近日又成功實(shí)現(xiàn)了 110GHz 電光強(qiáng)度調(diào)制器的首次國(guó)產(chǎn)化,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。該系列產(chǎn)品獲得了國(guó)內(nèi)多家產(chǎn)業(yè)用戶和研究院所的驗(yàn)證和訂購(gòu),將有效緩解高端光調(diào)制器的“卡脖子”問(wèn)題,支撐我國(guó)光電子信息產(chǎn)業(yè)的自立自強(qiáng)發(fā)展。
具體測(cè)試情況和參數(shù)詳見(jiàn)下圖(表)。
110GHz 調(diào)制器電光 S21 參數(shù)曲線
110GHz 調(diào)制器電電 S11 參數(shù)曲線
NOEIC電光調(diào)制器產(chǎn)品實(shí)測(cè)光信號(hào)眼圖
NOEIC 肩負(fù)著打通信息光電子產(chǎn)業(yè)鏈“技術(shù)開發(fā)一首次商用一轉(zhuǎn)移擴(kuò)散”的使命,以突破高端材料、芯片工藝、先進(jìn)封裝等方面關(guān)鍵共性技術(shù)瓶頸為目標(biāo),致力于推動(dòng)高端光電子芯片、器件的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,著力破解我國(guó)信息光電子“缺芯”局面。未來(lái), NOEIC 將充分利用現(xiàn)有先進(jìn)制造平臺(tái),聚集創(chuàng)新資源,打造協(xié)同創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng),持續(xù)破解信息光電子卡脖子難題,持續(xù)提升我國(guó)核心光電子芯片和器件國(guó)產(chǎn)供給率,持續(xù)推動(dòng)我國(guó)光電子信息產(chǎn)業(yè)自立自強(qiáng)!