ICC訊 9月4日,第21屆訊石光纖通訊市場(chǎng)暨技術(shù)專題研討會(huì)(iFOC 2023)在深圳正式開幕,會(huì)議首日共有600多為光電行業(yè)人士參加。在專題論壇《通信半導(dǎo)體芯片、材料》上,來自中科半導(dǎo)體研究所、光梓科技、長(zhǎng)瑞光電、鈮奧光電、長(zhǎng)光華芯、深圳大學(xué)和訊石咨詢的技術(shù)專家和市場(chǎng)分析師分享行業(yè)報(bào)告,講述光通信芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展動(dòng)態(tài)和未來機(jī)遇。
會(huì)議由賽勒科技CEO 甘甫烷博士擔(dān)任主持
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員李智勇發(fā)表《硅光集成芯片的光源研究進(jìn)展》報(bào)告,面向新一代數(shù)據(jù)中心、高性能集成電路等應(yīng)用,超大容量信息技術(shù)的應(yīng)用需求,包括Tbps數(shù)據(jù)帶寬、pJ/bit量級(jí)功耗、高密度收發(fā)集成陣列等。行業(yè)迫切需要更高速率、更優(yōu)性能的光互連技術(shù),光電子材料與器件等方面都需要有持續(xù)的改進(jìn)優(yōu)化和性能提升,硅光集成芯片的新進(jìn)展值得期待。硅光集成芯片的光源方案是關(guān)鍵環(huán)節(jié),核心問題是如何實(shí)現(xiàn)高效率、低能耗等先進(jìn)性能,新型技術(shù)原理值得深入探索研究,并加速進(jìn)行開發(fā)驗(yàn)證。
光梓科技董事長(zhǎng)、CTO姜培教授發(fā)表《硅基光互連電芯片的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化》報(bào)告,闡述了硅基光互連電芯片的演進(jìn),極少基于CMOS工藝的25G/λ收發(fā)電芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,以及基于BiCMOS工藝的50G & 100G/λ收發(fā)電芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。光梓科技是我國(guó)高速光電集成芯片領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)軍企業(yè)之一,利用全自主產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù),聯(lián)合國(guó)際頂級(jí)晶圓制造企業(yè),開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化以CMOS/BiCMOS為基的高速低功耗模擬光電子芯片,為快速增長(zhǎng)的云計(jì)算大數(shù)據(jù)中心和5G無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)提供在性能、功耗、成本結(jié)構(gòu)上都有極強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的高性能核心電芯片。
長(zhǎng)瑞光電 VCSEL研發(fā)副總向宇發(fā)表《全國(guó)產(chǎn) VCSEL 發(fā)展與挑戰(zhàn)》報(bào)告,在激光探測(cè)、識(shí)別及短距離光纖傳輸領(lǐng)域,多模VCSEL芯片扮演著重要的角色。全球云服務(wù)和人工智能的興起,帶動(dòng)了新一輪大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的建設(shè),也帶來了高端VCSEL芯片需求量的增長(zhǎng)。本報(bào)告主要從芯片外延、晶圓制造、芯片測(cè)試等方面重點(diǎn)介紹國(guó)產(chǎn)VCSEL芯片在規(guī)模化生產(chǎn)與客制化服務(wù)上的最近進(jìn)展。
鈮奧光電董事長(zhǎng)蔡鑫倫發(fā)表《薄膜鈮酸鋰光電子集成技術(shù)與芯片》報(bào)告,近年來,薄膜鈮酸鋰作為新的集成光電子材料平臺(tái)受到了廣泛的關(guān)注,相比于傳統(tǒng)體材料鈮酸鋰,薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)可以制作亞微米尺度的光波導(dǎo),不但提高了器件的集成度,而且大大提高了對(duì)光場(chǎng)的限制,增強(qiáng)了光場(chǎng)和鈮酸鋰材料的相互作用,因而可以實(shí)現(xiàn)超高電光帶寬、超低的驅(qū)動(dòng)電壓以及超低光學(xué)損耗,有望在電光調(diào)制器領(lǐng)域掀起一場(chǎng)革命。本報(bào)告主要介紹鈮奧光電近年來在薄膜鈮酸鋰光電子器件的若干進(jìn)展。
長(zhǎng)光華芯副總經(jīng)理吳真林發(fā)表《AI 時(shí)代高速光芯片的機(jī)遇與挑戰(zhàn)》報(bào)告,AI 時(shí)代高速光芯片的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。EML激光器方案將是800G光模塊未來2年的主流方案,EML需求將大幅增加。當(dāng)前100G及以上高速光通信芯片主要依賴進(jìn)口,特別是100G VCSEL多模應(yīng)用。終端方案商的芯片供應(yīng)鏈產(chǎn)能面臨不足的可能性,這將是國(guó)產(chǎn)化參與的機(jī)會(huì)。
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員陸丹發(fā)表《磷化銦基單波100G及以上光發(fā)射芯片技術(shù)》報(bào)告,在即將規(guī)?;逃玫?00G以及未來800G光通信系統(tǒng)中,單波100Gbps及以上光發(fā)射技術(shù)將成為主流的技術(shù)方案。目前,基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體器件的單片/混合集成方案與基于硅光器件的混合集成方案均為單波100Gbps光模塊提供了可行的技術(shù)路線。本報(bào)告將重點(diǎn)介紹磷化銦(InP)基高速光發(fā)射芯片的技術(shù)進(jìn)展,對(duì)InP基電吸收調(diào)制激光器(EML)與直調(diào)激光器(DML)的關(guān)鍵技術(shù)與近期發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行總結(jié)梳理。
此外,訊石咨詢分析師發(fā)表《通信光芯片市場(chǎng)發(fā)展分析與預(yù)測(cè)》報(bào)告,對(duì)光芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局、市場(chǎng)需求走勢(shì)和價(jià)格變動(dòng)進(jìn)行分析和預(yù)測(cè)。
圓桌論壇討論了通信芯片發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn),由新華三光互聯(lián)系統(tǒng)架構(gòu)師王雪主持,中芯光電董事長(zhǎng)章雅平、光梓科技CEL 史方,廈門優(yōu)迅市場(chǎng)總監(jiān)魏永益、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員陸丹和鈮奧光電董事長(zhǎng)蔡鑫倫擔(dān)任論壇嘉賓,就光電子芯片技術(shù)差異、市場(chǎng)需求、國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇和芯片企業(yè)成長(zhǎng)心得進(jìn)行分享。
iFOC 2023《通信半導(dǎo)體芯片、材料》專題會(huì)場(chǎng)