半導體所硅基外延量子點激光器研究取得進展

  ICC訊 硅基光電子集成芯片以成熟穩(wěn)定的CMOS工藝為基礎(chǔ)，將傳統(tǒng)光學系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息傳輸和處理能力，可廣泛應(yīng)用于超大數(shù)據(jù)中心、5G/6G、物聯(lián)網(wǎng)、超級計算機、人工智能等新興領(lǐng)域。硅（Si）材料發(fā)光效率低，因此將發(fā)光效率高的III-V族半導體材料如砷化鎵（GaAs）外延在CMOS兼容Si基襯底上，并外延和制備激光器被公認為最優(yōu)的片上光源方案。Si與GaAs材料間存在大的晶格失配、極性失配和熱膨脹系數(shù)失配等問題，因而在與CMOS兼容的無偏角Si襯底上研制高性能硅基外延激光器需要解決一系列關(guān)鍵的科學與技術(shù)難點。

  近期，中國科學院半導體研究所材料科學重點實驗室楊濤與楊曉光研究團隊，在硅基外延量子點激光器及其摻雜調(diào)控方面取得重要進展。該團隊采用分子束外延技術(shù)，在緩沖層總厚度2700nm條件下，將硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量級?？蒲腥藛T采用疊層InAs/GaAs量子點結(jié)構(gòu)作為有源區(qū)，并首次提出和將“p型調(diào)制摻雜+直接Si摻雜”的分域雙摻雜調(diào)控技術(shù)應(yīng)用于有源區(qū)，研制出可高溫工作的低功耗片上光源。室溫下，該器件連續(xù)輸出功率超過70mW，閾值電流比同結(jié)構(gòu)僅p型摻雜激光器降低30%。該器件最高連續(xù)工作溫度超過115°C，為目前公開報道中與CMOS兼容的無偏角硅基直接外延激光器的最高值。上述成果為實現(xiàn)超低功耗、高溫度穩(wěn)定的高密度硅基光電子集成芯片提供了關(guān)鍵方案和核心光源。

  6月1日，相關(guān)研究成果以Significantly enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si(001) via spatially separated co-doping為題，發(fā)表在《光學快報》（Optics Express）上。國際半導體行業(yè)雜志Semiconductor Today以專欄形式報道并推薦了這一成果。研究工作得到國家重點研發(fā)計劃和國家自然科學基金等的支持。

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