臺(tái)積電開(kāi)始準(zhǔn)備為蘋(píng)果及英偉達(dá)試產(chǎn)2納米芯片

  ICC訊 據(jù)Patently apple報(bào)道，臺(tái)積電最近也開(kāi)始準(zhǔn)備為蘋(píng)果和英偉達(dá)試產(chǎn)2納米產(chǎn)品。另外，為了開(kāi)發(fā)2納米制程，臺(tái)積電將派約1000名研發(fā)人員前往位于竹科、目前正在建設(shè)中的Fab 20晶圓廠(chǎng)工作。

  報(bào)道稱(chēng)，三星電子于2022年6月通過(guò)環(huán)柵(GAA)工藝開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片，比臺(tái)積電提前6個(gè)月，世界第一。受到三星先發(fā)制人的打擊，臺(tái)積電高層多次公開(kāi)2納米制程計(jì)劃，引發(fā)超精細(xì)制造競(jìng)賽。

  英特爾也加入這場(chǎng)競(jìng)賽，其設(shè)定了一個(gè)目標(biāo)，即在2024年下半年推進(jìn)其代工生產(chǎn)1.8納米制程內(nèi)的芯片。3月，該公司制定了一項(xiàng)計(jì)劃，使用通過(guò)與ARM建立合作伙伴關(guān)系實(shí)現(xiàn)1.8納米工藝。不過(guò)，也有業(yè)內(nèi)人士悲觀地認(rèn)為，即使英特爾按照路線(xiàn)圖取得成功，要實(shí)現(xiàn)收支平衡對(duì)公司來(lái)說(shuō)也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。

  據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃在竹科建設(shè)全球最尖端的2納米芯片工廠(chǎng)，計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)。臺(tái)積電的2納米技術(shù)在相同功耗下，相比3納米工藝的速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%。