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三菱電機(jī)推出單波200G PAM4 CWDM4 EML芯片

摘要:三菱電機(jī)推出單波200Gbps PAM4電吸收調(diào)制器激光器(EML)芯片,采用混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)將傳輸速率提升一倍,支持四波長(zhǎng)CWDM實(shí)現(xiàn)四顆芯片傳輸800G或8顆芯片傳輸1.6T

  三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布其新開發(fā)出一款單波200Gbps(112Gbaud四電平脈沖幅度調(diào)制(PAM4))電吸收調(diào)制器激光二極管(EML)芯片。該款芯片采用了專有的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使其傳輸速率比該公司現(xiàn)有的100Gbps EML芯片提升了一倍。同時(shí),該芯片還支持四個(gè)波長(zhǎng)的粗波分復(fù)用(CWDM),達(dá)到了使用4顆芯片實(shí)現(xiàn)800Gbps傳輸速率,或8顆芯片實(shí)現(xiàn)1.6Tbps傳輸速率的應(yīng)用目標(biāo)。

200Gbps(112Gbaud PAM4) EML芯片外觀

112Gbaud PAM4 眼圖(back-to-back, Vpp=1.2V)

  激光器性能的大幅提高將極大提升數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的光收發(fā)模塊傳輸速度,以應(yīng)對(duì)隨著視頻分發(fā)服務(wù)和云計(jì)算快速發(fā)展帶來(lái)的數(shù)據(jù)流量激增的需求。

  三菱電機(jī)已于3月5日至9日在美國(guó)圣地亞哥舉辦的2023光通信展(OFC2023)上展示該最新芯片。

  產(chǎn)品特點(diǎn)

  獨(dú)特的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),極大地提升了傳輸速度、消光比和光輸出功率等指標(biāo)

  三菱電機(jī)獨(dú)特的混合波導(dǎo)結(jié)構(gòu),將高光輸出功率的掩埋型激光二極管和高階波導(dǎo)電吸收調(diào)制器相結(jié)合,幫助實(shí)現(xiàn)高達(dá)200Gbps的傳輸速率、高消光比和高輸出功率。

  支持4個(gè)CWDM波長(zhǎng),幫助提高傳輸速度、減少光纖需求

  新型芯片產(chǎn)品支持4個(gè)CWDM波長(zhǎng)-1271、1291、1311和1331納米,類似于該公司現(xiàn)有的100Gbps產(chǎn)品,允許不同波長(zhǎng)的光信號(hào)在單個(gè)光纖中復(fù)用,從而減少所需要的光纖數(shù)量。

  一個(gè)收發(fā)器中的四顆芯片可以實(shí)現(xiàn)800Gbps傳輸,八顆芯片可以實(shí)現(xiàn)1.6Tbps傳輸。

800Gbps光收發(fā)器配置示例

主要規(guī)格


  三菱電機(jī)計(jì)劃從2024年開始批量生產(chǎn)該芯片。同時(shí)還考慮將支持?jǐn)U大到8個(gè)波長(zhǎng),以兼容更多的傳輸應(yīng)用。

  本產(chǎn)品符合RoHS*1指令2011/65/EU和(EU)2015/863。

  *1 Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

  關(guān)于三菱電機(jī)

  三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。在2022年《財(cái)富》世界500強(qiáng)排名中,位列351名。截止2022年3月31日的財(cái)年,集團(tuán)營(yíng)收44768億日元(約合美元332億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù),并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng),三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有60余年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。


內(nèi)容來(lái)自:三菱電機(jī)半導(dǎo)體
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