韓國(guó)：三星3nm制程良率大幅提升

  ICC訊  據(jù)業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子大幅提高了3nm芯片的產(chǎn)量，似乎是良率問(wèn)題得到了解決。

  相比于此前受困了良率問(wèn)題，三星一位高管在受訪時(shí)表示，三星第一代的3nm制程良率“接近完美”，第二代3nm芯片技術(shù)也迅速展開。“我們現(xiàn)在正在馬不停蹄地開發(fā)第二代3nm芯片。”他告訴韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)。

  產(chǎn)量意味著晶圓上還剩下多少芯片，因此是半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)盈利能力的關(guān)鍵。

  消息稱，臺(tái)積電的3nm工藝實(shí)現(xiàn)了高達(dá)85%的生產(chǎn)良率，高于三星。據(jù)稱，這一數(shù)字過(guò)于夸張，韓國(guó)行業(yè)消息人士認(rèn)為實(shí)際可能在50%。他們表示，考慮到臺(tái)積電向蘋果大規(guī)模生產(chǎn)和交付業(yè)界最小的芯片的周期，其產(chǎn)量最多為50%。

  據(jù)悉，三星電子將在其3nm工藝中采用透光率超過(guò)90%的最新EUV薄膜(pellicle)以提高良率，這些薄膜將來(lái)自韓國(guó)公司S&S Tech。