美擬對(duì)華禁售半導(dǎo)體設(shè)備 專家：最大受害者可能是韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  ICC訊 美國(guó)擬對(duì)中企禁售NAND閃存設(shè)備，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或‘躺槍’”，韓國(guó)《亞洲經(jīng)濟(jì)》8月2日的報(bào)道稱，美國(guó)繼對(duì)華禁售14納米以下光刻機(jī)等半導(dǎo)體設(shè)備后，正在考慮限制向中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造商出口美國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備，三星電子和SK海力士等韓國(guó)半導(dǎo)體大廠或因此蒙受損失。

  報(bào)道稱，美方此次計(jì)劃禁止對(duì)華銷售用于制造128層堆疊以上的NAND閃存芯片設(shè)備，限制對(duì)象包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)等，目前尚處于初步討論階段，暫無起草計(jì)劃。目前生產(chǎn)制造128層堆疊以上的NAND閃存芯片設(shè)備包括美國(guó)的應(yīng)用材料公司和泛林集團(tuán)等企業(yè)。若這項(xiàng)限制計(jì)劃最終獲批，將是美方首次通過出口管制來限制中國(guó)生產(chǎn)非軍事用途的存儲(chǔ)芯片。

  有專家認(rèn)為，這項(xiàng)計(jì)劃最大的受害者有可能是韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尤其是三星電子和SK海力士。目前三星電子在西安和蘇州建有兩座NAND閃存芯片工廠，SK海力士則在無錫、重慶和大連建有生產(chǎn)線。SK海力士此前完成收購英特爾在中國(guó)的NAND閃存芯片制造業(yè)務(wù)。若美方此次計(jì)劃獲批，美國(guó)芯片設(shè)備將被禁止運(yùn)往這兩家韓企位于中國(guó)的工廠。資料顯示，成立于2016年的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功量產(chǎn)128層NAND閃存芯片，并有傳聞稱最快可能于2022年年底量產(chǎn)232層NAND閃存芯片。美國(guó)白宮在去年6月發(fā)布的一份報(bào)告中指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的擴(kuò)張戰(zhàn)略對(duì)美光科技、西部數(shù)據(jù)等美國(guó)企業(yè)構(gòu)成“直接威脅”。