挖臺(tái)積電墻腳 Intel代工業(yè)務(wù)坐火箭：聯(lián)發(fā)科明年還要上3nm

  ICC訊  Intel代工業(yè)務(wù)日前取得了一個(gè)重要進(jìn)展——聯(lián)發(fā)科成為旗下IFS代工業(yè)務(wù)簽約客戶，將首發(fā)Intel為聯(lián)發(fā)科打造的16nm工藝，基于22nm FFL工藝改進(jìn)而來(lái)。

  16nm工藝相對(duì)于當(dāng)前的7nm、5nm工藝來(lái)說(shuō)不算多先進(jìn)了，主要適用于Wi-Fi無(wú)線及IoT物聯(lián)網(wǎng)芯片等，對(duì)工藝要求沒(méi)那么高，更重視能耗及成本。

  聯(lián)發(fā)科大部分的高端芯片依然要使用臺(tái)積電的先進(jìn)工藝，這也是臺(tái)積電對(duì)聯(lián)發(fā)科與Intel合作反應(yīng)比較冷淡的原因，沒(méi)有顯露出不滿，輕描淡寫回應(yīng)了一句不影響他們與聯(lián)發(fā)科的合作。

  然而這只是個(gè)開(kāi)始，Intel為了拉攏臺(tái)積電這樣的代工客戶也是費(fèi)心費(fèi)力了，除了各種優(yōu)惠條件之外，bitchips網(wǎng)站泄露的消息稱聯(lián)發(fā)科明年還會(huì)用上更先進(jìn)的Intel代工工藝，那就是Intel 3——相當(dāng)于友商的3nm工藝。

  Intel 3工藝是Intel 4工藝的改進(jìn)版，是Intel第二代EUV光刻工藝，進(jìn)一步優(yōu)化FinFET、提升EUV效率，能效比繼續(xù)提升大約18%，還有面積優(yōu)化，2023年下半年投產(chǎn)。

  臺(tái)積電對(duì)聯(lián)發(fā)科使用Intel的16nm工藝可以不擔(dān)心，但是如果Intel 3工藝進(jìn)展順利，聯(lián)發(fā)科的測(cè)試也OK的話，明年后年就會(huì)有Intel制造的聯(lián)發(fā)科高端5G處理器了，這可是個(gè)改變芯片代工格局的大事。