將首發(fā)供應(yīng)DDR4：國(guó)產(chǎn)17nm內(nèi)存芯片良率或達(dá)40%

  ICC訊 今年合肥長(zhǎng)鑫將推出下一代17nm工藝內(nèi)存芯片，首發(fā)產(chǎn)品是DDR4。

  來(lái)自大摩的分析稱，合肥長(zhǎng)鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經(jīng)達(dá)到了40%，預(yù)計(jì)Q2季度就會(huì)給客戶供應(yīng)產(chǎn)品，其成本相比臺(tái)系廠商的20nm、25nm工藝內(nèi)存更有優(yōu)勢(shì)。至于生產(chǎn)方面，大摩稱合肥長(zhǎng)鑫的產(chǎn)能今年會(huì)增加到8萬(wàn)片晶圓/月，并在北京新建工廠，量產(chǎn)17nm工藝內(nèi)存芯片。

  此外，長(zhǎng)鑫還會(huì)研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存，再下一代的10G5工藝中，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。在2020年、2021年，長(zhǎng)鑫分別實(shí)現(xiàn)了4.5萬(wàn)片晶圓/月、6萬(wàn)片晶圓/月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬(wàn)片晶圓/月，未來(lái)的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬(wàn)片晶圓/月。