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光梓科技、源杰半導體聯(lián)合發(fā)布25G工業(yè)級5G前傳解決方案,助力5G產(chǎn)業(yè)的高速成長

摘要:行業(yè)領(lǐng)先的高速模擬芯片廠商-光梓科技和國產(chǎn)激光器廠商-源杰半導體向業(yè)界推出國產(chǎn)工業(yè)級5G前傳高性價比解決方案:展示工業(yè)級CMOS 25G-DML Driver激光器驅(qū)動芯片和工業(yè)級25G 激光器芯片。該產(chǎn)品主要應(yīng)用蓬勃發(fā)展的5G數(shù)據(jù)前傳市場,滿足于核心物料自主可控及成本結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化的市場需求。

  ICC訊 行業(yè)領(lǐng)先的高速模擬芯片廠商-光梓科技和國產(chǎn)激光器廠商-源杰半導體向業(yè)界推出國產(chǎn)工業(yè)級5G前傳高性價比解決方案:展示工業(yè)級CMOS 25G-DML Driver激光器驅(qū)動芯片和工業(yè)級25G 激光器芯片。該產(chǎn)品主要應(yīng)用蓬勃發(fā)展的5G數(shù)據(jù)前傳市場,滿足于核心物料自主可控及成本結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化的市場需求。

  25G-DML Driver因需要幾十mA的大驅(qū)動電流和調(diào)制電流,所以行業(yè)內(nèi)基本上都采用如鍺化硅(SiGe)工藝來實現(xiàn),因而受制于SiGe晶圓代工產(chǎn)能及供應(yīng)鏈的局限性和風險性。光梓科技多年來致力于利用標準的CMOS制程工藝設(shè)計和產(chǎn)業(yè)化高速高帶寬通訊芯片及相關(guān)產(chǎn)品,先后完成了4x10G/1x25G VCSEL Driver/TIA等芯片的量產(chǎn)工作。通過創(chuàng)新的設(shè)計工作和完整的知識產(chǎn)權(quán),光梓科技克服了CMOS工藝不能驅(qū)動大電流的瓶頸,推出了基于CMOS工藝的1x25G DML Driver + Dual CDR的產(chǎn)業(yè)化方案,各方面綜合性能達到了行業(yè)水平,滿足模塊和終端客戶對于5G前傳方案的性能、成本及供應(yīng)鏈的需求,現(xiàn)已處于預(yù)量產(chǎn)狀態(tài)。

  光梓工業(yè)級1x25G-DML 激光驅(qū)動芯片的主要特色在以下幾點:

  1. 工藝成熟:采用標準的CMOS工藝制程 - 從晶圓制造到后端封測,整個供應(yīng)鏈自主可控;

  2. 成本結(jié)構(gòu):CMOS在大批量的需求下,相比同類SiGe芯片具有極大優(yōu)勢;

  3. 方便快捷:光電性能和物理尺寸等和國外主流供應(yīng)商兼容,便于光模塊客戶產(chǎn)業(yè)化導入和物料儲備;

  4. 即插即用:3.3V單電源供電,PCB板級不需要額外的BUCK和BOOST;

  5. 兼容性好:支持國外和國內(nèi)主流企業(yè)用于5G前傳的DFB工業(yè)級激光器。

  源杰半導體于2019年實現(xiàn)25G光芯片國產(chǎn)化,率先以國產(chǎn)化支持國內(nèi)5G新基建政策;工業(yè)級25G激光器芯片普遍存在材料氧化失效與小尺寸熱堆積失效等技術(shù)難題,源杰在過去幾年進行了大量的開發(fā)資源投入并完成攻克,相關(guān)解決方案在國內(nèi)具備了創(chuàng)新性與唯一性的優(yōu)勢。源杰的該款芯片在性能與可靠性方面能完全替代國外同類產(chǎn)品,填補了國內(nèi)空白。

  源杰25G 芯片的主要特色是:

  1. 可靠性強:該款芯片能夠勝任長期嚴苛的操作環(huán)境:-40°C~85°C;

  2. 小發(fā)散角:可匹配普通大球TO管帽,降低成本;

  3. 高功率:驅(qū)動電流小,功耗低;

  4. 高速調(diào)制:克服低溫與高溫光芯片調(diào)制速率問題,真正滿足無致冷的工業(yè)級高速產(chǎn)品;

  5. 特殊工藝:采用獨特的掩埋型光波導結(jié)構(gòu),頻率響應(yīng)快,射頻帶寬高,在整個工業(yè)溫度范圍內(nèi)確保眼圖余量大于30%。

  該方案核心性能在某國際頂尖模塊廠商的驗證效果如下:

  至此,光梓科技已經(jīng)開發(fā)完成5G網(wǎng)絡(luò)前傳/中傳覆蓋距離所需的0-30Km完整解決方案,并具備量產(chǎn)出貨能力。源杰于2019年開始在25G國產(chǎn)激光器芯片市場持續(xù)發(fā)力,憑借其IDM開發(fā)模式,首推了25G國產(chǎn)光芯片,今年產(chǎn)品技術(shù)延伸實現(xiàn)50G PAM4等更高速產(chǎn)品,得到了海內(nèi)外客戶的充分認可。

  關(guān)于光梓科技:光梓科技是我國高速光電集成芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一,是由國家領(lǐng)軍人才創(chuàng)新團隊在頂級風投資本的支持下創(chuàng)建的、研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用于5G傳輸、數(shù)據(jù)中心、3D TOF圖像、生物傳感等市場的集成電路與系統(tǒng)的高科技企業(yè)。公司利用具有完整自主知識產(chǎn)權(quán)的CMOS高速低功耗模擬光電子芯片設(shè)計和制造技術(shù),聯(lián)合世界領(lǐng)先水平的企業(yè)和學術(shù)機構(gòu),為快速增長的5G網(wǎng)絡(luò)、云計算、大數(shù)據(jù)中心、移動信息、生物傳感等新型數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)提供在性能、功耗、成本結(jié)構(gòu)上都有極強競爭力的高品質(zhì)核心產(chǎn)品。2020年光梓科技被權(quán)威市場分析機構(gòu)和投資機構(gòu)分別評為“中國5G行業(yè)30強(非上市公司)”、“中國信息光電創(chuàng)業(yè)企業(yè)42強”、“畢馬威中國最具投資價值半導體企業(yè)50強”。

  關(guān)于源杰半導體:源杰半導體成立于2013年,公司具備自主設(shè)計、生產(chǎn)制造半導體激光器芯片能力,已授權(quán)激光器專利27項;擁有數(shù)條從MOCVD外延生長、芯片生產(chǎn)和自動測試的生產(chǎn)線;產(chǎn)品面覆蓋2.5Gbps、10Gbps、25Gbps與50Gbps激光器,所有產(chǎn)品均由源杰產(chǎn)線自主設(shè)計、開發(fā)、制造與測試驗證,無任一生產(chǎn)環(huán)節(jié)委外代工制作。源杰從成立之初,已經(jīng)意識光芯片全覆蓋上游生產(chǎn)鏈與IDM制造模式的必要性,針對國內(nèi)最薄弱的外延與光柵這兩稀缺的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制程開發(fā)能力去突破,也形成現(xiàn)在行業(yè)里的優(yōu)勢。源杰產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于電信運營商、數(shù)據(jù)中心及光纖到戶等領(lǐng)域;持續(xù)致力于向國內(nèi)外客戶提供高性價比、高可靠性產(chǎn)品,始終追求與客戶合作共贏。

  關(guān)于該方案更多內(nèi)容和相關(guān)信息,歡迎來到2021年9月16-18日深圳光博會 - 6號展館6E121及6A63進行更多了解。

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