讓世界愛上中國芯！敏芯半導體提供全系列優(yōu)質光芯片

  ICC訊 2021年9月1-3日，在第23屆中國國際光電博覽會上武漢敏芯半導體股份有限公司將展出1310nm高功率低偏振消光比超輻射發(fā)光二極管、1310nm半導體光放大器、1310nm大功率DFB激光器、10G 1550/1577nm EML、25G LWDM4/CWDM4 DFB等光通信芯片及材料。

  誠摯邀請您蒞臨12號館展位12C33參觀、交流及業(yè)務洽談。

  產品推薦

  1310nm高功率低偏振消光比超輻射發(fā)光二極管

  產品介紹：

  0031-L3-C02是一款中心波長1310nm，BH掩埋，InGaAsP多量子阱的半導體超輻射發(fā)光二極管芯片，具有高功率、低偏振消光比、低ripple、高可靠性等特點。

  關鍵特性：

  1. 高芯片功率;2. 譜寬：≥40nm;3. 偏振消光比：<1dB;4. Ripple：<0.2dB

  應用領域：

  光通信、信息處理/存儲

  1310nm半導體光放大器

  產品介紹：

  1310nm SOA芯片采用InGaAsP/InP多量子阱結構設計和BH工藝方案，是一款高增益、高飽和輸出功率、低NF和低偏振相關特性的半導體光放大器芯片，可作為前置放大應用于數(shù)據(jù)中心與WDM網絡中。

  關鍵特性：

  1. 增益(Gain)：≥16dB;2. 偏振相關增益(PDG)：≤1.5dB;3. 飽和輸出光功率(Saturation Power)：~7dBm;4. 噪聲指數(shù)(Noise Figure)：~7dB;5. 增益紋波(Gain Ripple)：≤0.2dB

  應用領域：

  光通信、信息處理/存儲

  1310nm大功率DFB激光器

  產品介紹：

  D0031-C0-0A0-70是基于InGaAsP/InP材料體系設計的1310nm高功率半導體激光器芯片，可用于目前的100G至400G硅光子集成芯片中。芯片可以在非制冷和非氣密環(huán)境下工作，具有高功率，高邊模抑制比和高可靠性等特點。

  關鍵特性：

  1. 低閾值電流;2. 高輸出功率;3. 可靠性符合Telcordia GR-468;4. RoHS Compliant

  應用領域：

  光通信、信息處理/存儲

  10G 1550/1577nm EML

  產品介紹：

  10G 1550/1577nm EML系列為單模邊發(fā)射EML激光器，采用InGaAsP/InP多量子阱結構設計和BH工藝，芯片正表面提供9位編碼用于追溯，且所有出貨芯片均經過100%常溫及高溫測試。

  關鍵特性：

  1.低閾值、高帶寬;2.BH多量子阱結構;3.高消光比;4. 低偏壓工作;5. 可靠性符合Telcordia GR-468;6. RoHS Compliant

  應用領域：

  器件/模塊、 光通信、信息處理/存儲

  25G LWDM4/CWDM4 DFB

  產品介紹：

  25G LWDM/CWDM4 系列為25Gbps單模邊發(fā)射DFB激光器，分別應用于100Gbps LR4/CWDM4傳輸系統(tǒng)。該系列采用AlGaInAs多量子阱結構設計，脊波導工藝，芯片正表面提供9位編碼用于追溯，且所有出貨芯片均經過100%常溫及高溫測試。25G LWDM4支持波長1295.56nm, 1300.05nm, 1304.58nm, 1309.14nm共4個波長通道。25G CWDM4支持波長1271nm, 1291nm, 1311nm, 1331nm共4個波長通道。

  武漢敏芯半導體股份有限公司成立于中國光谷,是一家從事半導體光芯片研發(fā)、制造和銷售的國家高新技術企業(yè)。產品涉及光通信和激光傳感領域。作為光通信領域國內首家獨立的全系列光芯片供應商,公司可提供2.5G/10G/25G/50G全系列激光器和探測器光芯片及封裝類產品。公司以“做好每一顆光芯片，讓世界愛上中國芯”為使命,為全球光器件和光模塊廠商提供優(yōu)質全系列光通信用光芯片產品及技術服務。公司先后獲得多項榮譽,包括湖北省2021年度上市后備“科創(chuàng)板種子”企業(yè)、2020年湖北省雙創(chuàng)戰(zhàn)略團隊、第一屆畢馬威中國“芯科技”新銳企業(yè)50、國家級專精特新“小巨人”、2021中國潛在“獨角獸”等。