英特爾：2025年生產(chǎn)1.8納米芯片

  ICC訊  據(jù)報(bào)道，英特爾今年早些時(shí)候宣布將重新奪回CPU制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和PC行業(yè)“無(wú)可爭(zhēng)議領(lǐng)導(dǎo)地位”。這些目標(biāo)的確激動(dòng)人心，但他們卻并未披露具體如何實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。

  現(xiàn)在，該公司CEO帕特·基爾辛格（Pat Gelsinger）和技術(shù)開(kāi)發(fā)高級(jí)副總裁安·凱勒（Ann Kelleher）終于披露了未來(lái)計(jì)劃。

  首先，英特爾已經(jīng)不再沿用之前的產(chǎn)品命名方式。他們之前將10納米芯片命名為“Enhanced Superfin”，現(xiàn)在直接改名為“7”。這或許給人感覺(jué)有點(diǎn)名不副實(shí)，強(qiáng)行抬高自己的身價(jià)，因?yàn)?很容易讓人誤以為是7納米產(chǎn)品。

  但公平地說(shuō)，生產(chǎn)工工藝的納米級(jí)別現(xiàn)在已經(jīng)不能真正對(duì)應(yīng)物理狀態(tài)了。而且從密度上看，英特爾目前的10納米芯片是可以跟臺(tái)積電和三星的7納米芯片競(jìng)爭(zhēng)的。

  在7納米之外，英特爾目前制定了非常激進(jìn)的年度產(chǎn)品更新計(jì)劃，預(yù)計(jì)該公司今年秋天將推出Alder Lake芯片，將高功率和低功率核心融合在一起。之后則是將目前的4納米Meteor Lake芯片遷移到tile設(shè)計(jì)，并融合英特爾的3D堆疊芯片技術(shù)Foveros。

  除此之外，英特爾還為基于EUV的3納米芯片設(shè)計(jì)了一項(xiàng)技術(shù)，將會(huì)使用高能制造工藝簡(jiǎn)化芯片制造流程，并為埃米級(jí)技術(shù)規(guī)劃了“20A”的入門(mén)單位。1埃米等于1/10納米，所以20A的意思就是2納米，此后還有18A。18A產(chǎn)品預(yù)計(jì)將從2025年開(kāi)始投入生產(chǎn)，相應(yīng)的產(chǎn)品將在2025至2030年間面市。

  另外，雖然這些工藝水平已經(jīng)不再直接對(duì)應(yīng)實(shí)際的物理結(jié)構(gòu)，但一個(gè)硅原子確實(shí)只在2埃米寬的范圍內(nèi)，因此的確是非常小的晶體管了。

  這項(xiàng)計(jì)劃看似非常激進(jìn)，而且英特爾以往達(dá)成這類(lèi)目標(biāo)方面表現(xiàn)不佳。但即使能夠接近這些目標(biāo)，未來(lái)幾年的筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)也將迎來(lái)巨大的性能提升。