臺(tái)積電研發(fā)出新材料，有助實(shí)現(xiàn)1nm以下芯片制程

  ICC訊 近日，臺(tái)大與臺(tái)積電、美國麻省理工學(xué)院合作研究超3奈米前瞻半導(dǎo)體技術(shù)取得突破。

  三方共同發(fā)表突破二維材料缺陷的創(chuàng)新技術(shù)，首度提出利用半金屬鉍(Bi)作為二維材料的接觸電極，成功大幅降低電阻并提高電流，據(jù)稱效能接近量子極限。

  這項(xiàng)技術(shù)將有助實(shí)現(xiàn)未來1nm以下原子級電晶體的愿景，相關(guān)研究成果刊登于《Nature》國際頂尖學(xué)術(shù)期刊。

  據(jù)公眾號《新智元》報(bào)道，三方合作自2019年開始，經(jīng)過了三個(gè)關(guān)鍵階段。美國麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)在二維材料上搭配半金屬鉍（Bi）的電極，能大幅降低電阻并提高傳輸電流。隨后，臺(tái)積電技術(shù)研究部門則將“鉍（Bi）沉積制程”進(jìn)行優(yōu)化。最后臺(tái)大團(tuán)隊(duì)運(yùn)用“氦離子束微影系統(tǒng)”將元件通道成功縮小至納米尺寸，最終獲得突破性的研究成果。

  臺(tái)大電機(jī)系暨光電所教授吳志毅表示，在使用鉍（Bi）為接觸電極的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)后，二維材料電晶體的效能，不但與硅基半導(dǎo)體相當(dāng)，又有潛力與目前主流的硅基制程技術(shù)相容，有助于未來突破摩爾定律極限。