2年后追上臺積電 三星計劃2022年量產(chǎn)3nm：首發(fā)GAA工藝

  ICC訊  在半導體晶圓代工上，臺積電一家獨大，從10nm之后開始遙遙領先，然而三星的追趕一刻也沒放松，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計劃在2年內(nèi)追上臺積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。

  從2019年開始，三星啟動了一個“半導體2030計劃”，希望在2030年之前投資133萬億韓元，約合1160億美元稱為全球最大的半導體公司，其中先進邏輯工藝是重點之一，目標就是要追趕上臺積電。

  在最近的幾代工藝上，三星的量產(chǎn)進度都落后于臺積電，包括10nm、7nm及5nm，不過5nm算是縮短了差距，今年也量產(chǎn)了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。

  但三星追趕臺積電的關鍵是在下一代的3nm上，因為這一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會使用GAA工藝。

  最新消息稱，三星半導體業(yè)務部門的高管日前透露說，三星計劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝，而臺積電的計劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝，如此一來三星兩年后就要趕超臺積電了。

  值得一提的是，臺積電也似乎感受到了三星的壓力，原本計劃2024年才推出2nm工藝，現(xiàn)在研發(fā)順利，2023年下半年就準確試產(chǎn)了。