HiLight Semiconductor推出應(yīng)用于10Gbps長(zhǎng)距離傳輸和下一代10G-PON高靈敏度CMOS TIA

  ICC訊 全球領(lǐng)先的光通信CMOS集成電路芯片制造商HiLight Semiconductor宣布推出應(yīng)用于10Gbps長(zhǎng)距離傳輸和下一代10G-PON的高靈敏度跨阻放大器（TIA）HLR11G1。

  HLR11G1專(zhuān)為雪崩光電二極管（APD）應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該款TIA可廣泛用于各種需要超高靈敏度的10Gbps應(yīng)用，例如長(zhǎng)距離傳輸10Gbps“ZR”收發(fā)器、可調(diào)DWDM光器件和10G-PON接收器。該TIA的關(guān)鍵參數(shù)具有內(nèi)部數(shù)字溫度補(bǔ)償功能，可在整個(gè)工溫范圍內(nèi)保持出色的靈敏度和過(guò)載性能。HLR11G1采用先進(jìn)的CMOS工藝設(shè)計(jì)，配用合適的APD可以提供很低抖動(dòng)性能和非常低的系統(tǒng)級(jí)色散代價(jià)。

  HLR11G1與高增益APD配合，靈敏度典型值為-29dBm（BER=1E-12）和-35dBm（BER=1E-3）；與主流的國(guó)產(chǎn)10G APD配合，靈敏度可測(cè)到-28 dBm（BER=1E-12）和-33dBm（BER=1E-3），比前一代TIA提高了至少1dB。HLR11G1卓越的性能為長(zhǎng)距離傳輸、DWDM和NG-PON2等應(yīng)用提供了更多性能余量。

  HLR11G1的其他特性和性能優(yōu)勢(shì)包括：4.2kohm跨阻增益、僅21mA的供電電流（低功耗）以及配合APD應(yīng)用時(shí)優(yōu)于-4dBm的過(guò)載性能。

  TIA尺寸僅為0.7 mm x 1.05mm，可輕松裝配在標(biāo)準(zhǔn)TO-can光學(xué)組件中。

  HLR11G1錄屬于HiLight高端CMOS PMD系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品可用于市場(chǎng)需求量大的10Gbps至25Gbps應(yīng)用如數(shù)據(jù)通信、無(wú)線和FTTx PON。

  HiLight營(yíng)銷(xiāo)副總Christian Rookes評(píng)論道:“ HLR11G1為10G長(zhǎng)距離應(yīng)用和下一代PON提供世界一流的靈敏度，該TIA與HiLight現(xiàn)有系列的CMOS DML激光驅(qū)動(dòng)收發(fā)器IC產(chǎn)品一起使用可制成高集成、低功耗和低成本的光收發(fā)模塊?！?

  HiLight銷(xiāo)售副總Jess Brown博士評(píng)論道:“ 很興奮HiLight再次推出突破性的CMOS產(chǎn)品，HLR11G1擁有優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的性能，高性?xún)r(jià)比的技術(shù)優(yōu)勢(shì)能充分發(fā)揮客戶(hù)系統(tǒng)潛能。”

  HLR11G1已經(jīng)開(kāi)始發(fā)樣，感興趣的客戶(hù)請(qǐng)聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N(xiāo)售代表以獲取更多信息。

  關(guān)于HiLight Semiconductor Limited:

  HiLight半導(dǎo)體是一家有風(fēng)投機(jī)構(gòu)投資的Fabless芯片設(shè)計(jì)公司，2012年由有豐富初創(chuàng)企業(yè)經(jīng)驗(yàn)的人員所創(chuàng)立。專(zhuān)注于納米級(jí)CMOS工藝設(shè)計(jì)并提供用于高速光纖通信和網(wǎng)絡(luò)/數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的高性能的PMD和PHY 芯片。

  到目前為止，HiLight已經(jīng)銷(xiāo)售超過(guò)8000萬(wàn)片ICs。

  HiLight的總部位于英國(guó)南安普敦，在英國(guó)布里斯托爾設(shè)有設(shè)計(jì)中心，并在中國(guó)大陸(深圳，武漢，上海，成都)、臺(tái)灣和日本設(shè)有銷(xiāo)售以及技術(shù)支持辦事處。