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三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程

摘要:據(jù)臺灣媒體報(bào)道,三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”,稱這種垂直堆疊的封裝方法,可用于7納米制程,能提高該公司晶圓代工能力。

  ICC訊 8月14日消息,據(jù)臺灣媒體報(bào)道,三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”,稱這種垂直堆疊的封裝方法,可用于7納米制程,能提高該公司晶圓代工能力。

圖片來自三星電子官方

  三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV),能讓速度和能源效益大幅提升,以協(xié)助解決次世代應(yīng)用嚴(yán)苛的表現(xiàn)需求,如5G、人工智能(AI)、高效能運(yùn)算、行動和穿戴設(shè)備等。

  三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技術(shù),確保TSV在先進(jìn)的極紫外光(EUV)制程節(jié)點(diǎn)時(shí),也能穩(wěn)定聯(lián)通。

  三星稱,X-Cube可用于5納米和7納米制程。有了X-Cube技術(shù),IC設(shè)計(jì)師打造符合自身需求的定制化解決方案時(shí),將有更多靈活性。

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關(guān)鍵字: 三星 芯片
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