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華興激光獲4000萬元投資 外延材料國產(chǎn)化需求日增

摘要:無錫金投旗下基金——金投領(lǐng)航和金投信安基金完成對(duì)江蘇華興激光科技有限公司4000萬元投資。通過投資華興激光項(xiàng)目,實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體光通信領(lǐng)域的重大股權(quán)投資探索,也是對(duì)國內(nèi)頂級(jí)科學(xué)家團(tuán)隊(duì)在高技術(shù)壁壘領(lǐng)域創(chuàng)業(yè)的鼎力支持,更是打破美日臺(tái)技術(shù)封鎖和壟斷、圓夢(mèng)中國光電子外延希望之芯。


  ICC訊 據(jù)無錫金投消息,無錫金投的旗下基金——金投領(lǐng)航和金投信安基金完成對(duì)江蘇華興激光科技有限公司(簡稱華興激光)4000萬元投資。此次對(duì)華興激光項(xiàng)目的投資,是無錫金投旗下基金對(duì)半導(dǎo)體光通信領(lǐng)域首單大規(guī)模風(fēng)險(xiǎn)投資。

  據(jù)介紹,華興激光是國內(nèi)首家專注于化合物半導(dǎo)體光電子外延片研發(fā)和生產(chǎn)的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司建有包括50余臺(tái)套薄膜材料外延(MOCVD)、微納結(jié)構(gòu)加工(全息/電子束光刻)以及晶圓檢測(cè)設(shè)備在內(nèi)的先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線,掌握完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的2英寸-6英寸砷化鎵(GaAs)基和磷化銦(InP)基半導(dǎo)體激光(LD)和探測(cè)(PD)外延片量產(chǎn)技術(shù),其中,1310/1550 nm波段10G/25G DFB LD/PD/APD外延片、808/905/915/980/1064 nm FP/DFB LD外延片等產(chǎn)品性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,廣泛應(yīng)用于5G通信、激光雷達(dá)、激光泵浦、激光顯示等領(lǐng)域。

  回到本次投資,無錫金投通過投資華興激光項(xiàng)目,實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體光通信領(lǐng)域的重大股權(quán)投資探索,也是對(duì)國內(nèi)頂級(jí)科學(xué)家團(tuán)隊(duì)在高技術(shù)壁壘領(lǐng)域創(chuàng)業(yè)的鼎力支持。投資完成后,無錫金投將通過資源嫁接、資金支持、規(guī)范治理和增值服務(wù)等方式,推動(dòng)華興激光成為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體光通信外延領(lǐng)域標(biāo)桿公眾公司。

  訊石認(rèn)為,華興激光正處在光通信市場(chǎng)國產(chǎn)化需求日益高漲的階段,而隨著5G對(duì)光通信模塊需求量的釋放,半導(dǎo)體激光器研發(fā)也迫切需求工藝升級(jí)。

  華興激光總經(jīng)理羅帥博士表示,半導(dǎo)體激光器可以先后分為外延工藝、芯片工藝和封裝工藝,華興激光便專注在前道外延工藝(Epi-wafer)上,使用先進(jìn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備,發(fā)揮中科院半導(dǎo)體所在材料外延上的技術(shù)積累,為激光器芯片做好前道工序服務(wù),而材料外延也是光芯片制備工藝的核心環(huán)節(jié),其晶格質(zhì)量直接決定光芯片的工作性能。

華興激光總經(jīng)理 羅帥博士

  在外延、芯片、器件/模塊、系統(tǒng)到運(yùn)營商的光通信產(chǎn)業(yè)鏈中,國外獨(dú)立的外延產(chǎn)業(yè)及垂直一體化已相對(duì)完善,而國內(nèi)外延材料產(chǎn)業(yè)尚處于起步階段,材料外延技術(shù)儲(chǔ)備主要集中在高校、科研院所,產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱。隨著5G光通信模塊市場(chǎng)需求增長,芯片、器件廠商對(duì)成本的控制更加迫切,國內(nèi)化合物半導(dǎo)體III-V族磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延材料開始逐漸被光通信芯片器件廠商重視。同時(shí),一些新興應(yīng)用領(lǐng)域如激光雷達(dá)、3D成像、激光加工等領(lǐng)域的發(fā)展也帶來大量新的外延材料需求,這將給國內(nèi)外延材料產(chǎn)業(yè)帶來一次崛起的機(jī)遇。

內(nèi)容來自:無錫金投
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