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是德科技晶圓級解決方案平臺完美集成低頻噪聲測量

摘要:2016 年 7 月 25 日,北京——是德科技公司(NYSE:KEYS)宣布推出最新款的高性能先進低頻噪聲分析儀(A-LFNA),旨在實施快速、準確、可重復的低頻噪聲測量。

  ICCSZ訊    2016 年 7 月 25 日,北京——是德科技公司(NYSE:KEYS)宣布推出最新款的高性能先進低頻噪聲分析儀(A-LFNA),旨在實施快速、準確、可重復的低頻噪聲測量。該版本配備全新用戶界面,并與是德科技的 WaferPro Express 軟件緊密集成——這是一款對半導體器件執(zhí)行自動化晶圓級測量的平臺。作為這一大框架的組成部分,該平臺能讓工程師更好地理解器件和電路中的噪聲。相比之下,獨立系統要達到同樣目標,需要進行大量復雜測量。

  當今的半導體器件表征工程師通常希望采用靈活、可擴展的噪聲測量系統。他們尤其需要一個功能強大的綜合性平臺,以便將先進的低頻器件噪聲測量和分析與晶圓級測量集于一身,從而能夠管理完整的晶圓級表征。是德科技的 A-LFNA 與 WaferPro Express 軟件完美集成,能夠提供這樣的功能。該綜合解決方案有助于工程師對晶圓級以及封裝的各類元件、單獨器件和集成電路進行噪聲測量。與以前一樣,使用 WaferPro Express 的工程師可以通過編程執(zhí)行快速直流、電容和射頻S參數測量,并可排列測量順序,同時自動化控制探針臺?,F在,隨著噪聲測量模塊的推出,他們能將噪聲測量和分析添加到測試套件中。

  A LFNA 內置的測量程序能進行完整的直流和噪聲測量。例如,為了測量 N 型 MOSFET 上的噪聲,系統會自動選擇能最好地呈現固有器件噪聲的源和負載阻抗。工程師可以采用這些建議的設置,也可以對其做出更改,然后啟動噪聲測量。A-LFNA 會對噪聲功率譜密度(1/f 噪聲)和時域的RTN噪聲進行測量。得出的數據在多圖數據顯示窗口中繪圖顯示。各種窗口選項卡有助于執(zhí)行常見的任務,如評測器件的直流工作點,以及測量功率譜密度曲線的斜率。使用是德科技的Model Builder Program(MBP)和 IC-CAP 等器件建模工具,也可以通過器件模型對噪聲數據進行分析并顯示結果。電路設計人員能夠使用這些器件模型來確保高精度的射頻和模擬低噪聲電路設計。

  是德科技副總裁兼設計與測試軟件事業(yè)部總經理 Todd Cutler 表示:“我們的客戶在進行器件表征和建模時,會面臨不同的測試需求,包括氮化鎵可靠性、CMOS 建模和磁性傳感器測試等。通過 A-LFNA 的新軟件用戶界面,我們?yōu)榭蛻籼峁┝霜氁粺o二的能力,使其能對晶圓上的器件噪聲進行測量和建模,同時還為他們提供了全面、靈活的測量選項,用于測量從直流到電容再到微波頻率 S 參數的各方面特性”。

  是德科技的 A-LFNA 具有業(yè)界領先的噪聲靈敏度(-183 dBV2/Hz),器件建模和電路表征工程師能用它來快速、準確地表征高壓(200 V)和超低頻率(0.03 Hz)的器件。這種能力使其非常適用于半導體工廠開發(fā)制程設計套件,以及在器件制造過程中進行統計制程控制。運算放大器和線性穩(wěn)壓器的 IC 制造商還可以使用 A-LFNA 來表征其技術資料中的輸出電壓噪聲技術指標。

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