SiFotonics推出高度集成的硅光100G相干接收機(jī)芯片

　　ICCSZ訊   SiFotonics Technologies，國(guó)際領(lǐng)先的硅光技術(shù)公司之一，近日首次推出完全基于CMOS工藝的硅基全集成100G相干接收機(jī)(Integrated coherent receiver, ICR)芯片CR4Q01，面向骨干網(wǎng)及城域網(wǎng)100G DP-QPSK相干通信市場(chǎng)。

　　CR4Q01不僅在性能方面達(dá)到基于PLC等分立器件的傳統(tǒng)相干接收機(jī)水平，且尺寸是目前業(yè)界最小的同類器件之一，封裝簡(jiǎn)易、一致性好，整體設(shè)計(jì)完全符合OIF于2015年3月制定的城域網(wǎng)相干接收機(jī)協(xié)議。

　　CR4Q01尺寸僅為2.5×5.65mm²，單片集成了全部由SiFotonics自主研發(fā)的光纖波導(dǎo)耦合器、偏振旋轉(zhuǎn)分束器、2個(gè)90°混頻器和8個(gè)32G Ge/Si波導(dǎo)型光探測(cè)器陣列等器件。其中，波導(dǎo)耦合器與單模光纖直接耦合損耗<2dB每端，偏振相關(guān)損耗低于0.5dB，可覆蓋O/C/L等波段，具有極好的耦合容差;偏振旋轉(zhuǎn)分束器(用于將入射光信號(hào)的兩個(gè)偏振分量分束到兩個(gè)獨(dú)立波導(dǎo)中)可同時(shí)實(shí)現(xiàn)TM模向TE模的偏振旋轉(zhuǎn)，引入的額外損耗小于0.5dB，且在C波段內(nèi)偏振消光比均高于22dB;32G 波導(dǎo)型Ge/Si光探測(cè)器具有高響應(yīng)度、低電容等特點(diǎn)，且各通道共模抑制比高。CR4Q01完全基于硅基CMOS工藝，能夠保證量產(chǎn)要求的高良率、一致性和可靠性。

　　SiFotonics同時(shí)也在開發(fā)與帶有SPI功能跨阻放大器相匹配的下一代相干接收機(jī)集成芯片CR4QS1，其尺寸僅為2.5×2.2mm²，預(yù)計(jì)明年Q2提供樣品，將會(huì)成為業(yè)界集成度最高、尺寸最小的100G ICR芯片。

　　“在這樣小的一個(gè)芯片上，可以集成這么多的光學(xué)和電學(xué)功能單元，性能滿足要求，并在客戶那里大受歡迎的程度，有些出乎我們意料，”SiFotonics CEO潘棟博士表示：“硅光不再是教科書里的夢(mèng)想，它已經(jīng)到來(lái)。這樣高度集成的100G硅光芯片，使我們可以清楚看到硅光技術(shù)的應(yīng)用前景，從骨干網(wǎng)、城域網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心，到未來(lái)的8K高清電視。我們很幸運(yùn)能成為將這項(xiàng)技術(shù)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品的推動(dòng)者。”

　　關(guān)于SiFotonics：

　　SiFotonics Technologies致力于成為硅光子器件與集成技術(shù)的開創(chuàng)者與領(lǐng)導(dǎo)者，為客戶提供下一代高速光電轉(zhuǎn)換解決方案。自2006年以來(lái)，公司一直致力于硅光子技術(shù)的研究與平臺(tái)建設(shè)，與CMOS Foundry合作開發(fā)專屬硅光產(chǎn)線。SiFotonics已實(shí)現(xiàn)鍺硅光電探測(cè)器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測(cè)器(Ge/Si APD)等產(chǎn)品的量產(chǎn)化，現(xiàn)已向市場(chǎng)全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其陣列，覆蓋波長(zhǎng)范圍850nm~1577nm。目前該產(chǎn)線也已完成硅光子集成技術(shù)的相關(guān)工藝調(diào)試，并成功試產(chǎn)高性能100G相干接收機(jī)芯片CR4Q01。不久，SiFotonics將推出面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的100G集成收發(fā)芯片。