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光迅周亮:光集成是光器件未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)

摘要:本期推出閱讀武漢光迅科技股份有限公司高級(jí)工程師、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人周亮博士于2013年11月29日發(fā)表的演講——《光集成是光器件未來(lái)發(fā)展的必由之路》讀后感。

  ICCSZ訊(編輯:Debi)訊石推出“閱讀行業(yè)知名人士演講后感”系列,本期推出閱讀武漢光迅科技股份有限公司高級(jí)工程師、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人周亮博士于2013年11月29日發(fā)表的演講——《光集成是光器件未來(lái)發(fā)展的必由之路》讀后感。

  光通信器件是光纖通信系統(tǒng)的基礎(chǔ)與核心,是光纖通信領(lǐng)域中具有前瞻性、先導(dǎo)性和探索性的戰(zhàn)略技術(shù),體現(xiàn)了一個(gè)國(guó)家在光通信技術(shù)領(lǐng)域的水平和能力。周博士從三大方面——100G 傳輸網(wǎng)用集成器件、40G光接入網(wǎng)用集成器件和100G數(shù)據(jù)中心用集成器件介紹了光集成是光器件未來(lái)發(fā)展的必由之路。

  周博士介紹道,自2012年以后,光通信市場(chǎng)將迎來(lái)新的增長(zhǎng),主要由廣域網(wǎng)中100G、ROADM市場(chǎng)和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)驅(qū)動(dòng),而“寬帶中國(guó)”戰(zhàn)略的落實(shí)也將推動(dòng)光接入網(wǎng)市場(chǎng)的繁榮。市場(chǎng)的發(fā)展終將走向光電器件技術(shù)的交融。

  光集成是光器件未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)

  集成器件技術(shù)的發(fā)展正在經(jīng)歷從科研到產(chǎn)業(yè)化的轉(zhuǎn)化期,國(guó)內(nèi)的光器件企業(yè)一定要抓住這樣一個(gè)戰(zhàn)略機(jī)遇期,努力開(kāi)發(fā)有核心競(jìng)爭(zhēng)力的高端器件,走上良性發(fā)展的康莊大道。而集成又分為有源、無(wú)源芯片間的混合集成,按照光合波/分波器(MUX/Demux)構(gòu)型分類(lèi)有基于硅基二氧化硅波導(dǎo)PLC的混合集成,以及基于薄膜濾波片TFF的混合集成;而按照耦合工藝分類(lèi)有無(wú)源對(duì)準(zhǔn)耦合(高精度貼片工藝)和有源對(duì)準(zhǔn)耦合(加電、透鏡耦合)。

  此外還有基于硅基二氧化硅波導(dǎo)PLC的混合集成(采用直接對(duì)準(zhǔn)耦合),AWG同探測(cè)器間的耦合容差為1dB光損耗內(nèi),耦合容差在5um;而AWG同激光器間的耦合容差為1dB光損耗內(nèi),水平耦合容差在0.5um;在AWG端采用模斑變換其可將耦合損耗減小3dB,1dB耦合容差增加到1um;在AWG端采用模斑變換其可將耦合損耗減小5dB,1dB耦合容差增加到2um;基于硅基二氧化硅波導(dǎo)PLC的混合集成(采用加電、透鏡耦合),平行光軸方向的耦合容差為1dB 光損耗內(nèi),水平耦合容差在20um,垂直光軸方向的耦合容差為 1dB光損耗內(nèi),水平耦合容差在1um。

  周博士還透露了光迅科技的戰(zhàn)略布局,為三大板塊:數(shù)據(jù)網(wǎng)(SFP+、QSFP+)傳輸網(wǎng)(XFP、DWDM)、接入網(wǎng)(XGPON、TWDM-PON)。

  接入網(wǎng)--無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(PON)技術(shù)的發(fā)展

  關(guān)于接入網(wǎng)-無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(PON)技術(shù)的發(fā)展,周博士也作了詳細(xì)介紹。10G EPON在2013年已規(guī)模商用,40G堆疊TWDM-PON成為NG-PON2主流, FSAN標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展順利,2015年商用網(wǎng)絡(luò)升級(jí)平滑,兼容10G PON、GPON、EPON,用戶(hù)數(shù)和用戶(hù)帶寬兼顧,具有經(jīng)濟(jì)性和實(shí)用性。

  關(guān)于40G光接入網(wǎng)(TWDM-PON)的多波長(zhǎng)OLT由4通道/8通道的激光器與光合波器、探測(cè)器與光分波器間的集成,可調(diào)波長(zhǎng)的ONU由波長(zhǎng)可調(diào)元件與激光器/探測(cè)器的混合集成。關(guān)于40G接入網(wǎng)中的集成器件--波長(zhǎng)可調(diào)諧激光器,JDSU / Oclaro的InP基單片集成可調(diào)諧激光器見(jiàn)下圖,NTT的InP基單片集成可調(diào)諧激光器陣列見(jiàn)下圖。

JDSU / Oclaro的InP基單片集成可調(diào)諧激光器

NTT的InP基單片集成可調(diào)諧激光器陣列

  周博士還介紹了100G數(shù)據(jù)中心用光器件的需求背景,認(rèn)為下一代數(shù)據(jù)中心傳輸距離的預(yù)期為150m~2km,因此下一代數(shù)據(jù)中心將圍繞單模光纖/邊發(fā)射激光器,現(xiàn)有的40G QSFP+數(shù)據(jù)中心用光模塊基于VCSEL和陣列多模光纖的數(shù)據(jù)中心光模塊方案,采用高精度無(wú)源貼裝技術(shù),采用Chip-on-board工藝實(shí)現(xiàn)低成本,而100G數(shù)據(jù)中心用集成器件—硅光集成采用硅基單片和混合集成技術(shù)的100G 光收發(fā)芯片在傳輸距離、功耗、成本、體積、工藝上優(yōu)勢(shì)明顯。

  總之,光器件全球化的競(jìng)爭(zhēng)格局已經(jīng)形成,隨著國(guó)內(nèi)光電子器件廠(chǎng)商研發(fā)能力、生產(chǎn)工藝的提高,再加上產(chǎn)品的成本優(yōu)勢(shì),國(guó)外通信系統(tǒng)設(shè)備廠(chǎng)商也增強(qiáng)了對(duì)國(guó)內(nèi)光電子器件產(chǎn)品的采購(gòu)力度。而集成技術(shù)是國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商抓住機(jī)遇的重要手段!

內(nèi)容來(lái)自:訊石光通訊咨詢(xún)網(wǎng)
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