【北美】IBM發(fā)布首款電致發(fā)光納米管晶體管　亮度優(yōu)于LED千倍

    IBM公司日前發(fā)布了首款電致發(fā)光納米管晶體管(electroluminescent nanotube transistor)，并聲稱該組件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(light-emitting diode，LED)強(qiáng)1000倍，光子通量多達(dá)1萬倍。

    通過在芯片上發(fā)射數(shù)千個(gè)光子，其能量消耗與砷化鎵內(nèi)的一個(gè)光子相同，IBM預(yù)測(cè)，納米碳管晶體管將導(dǎo)致在芯片上制成光整合組件。據(jù)IBM稱，芯片整合光組件將可望降低成本，促進(jìn)電子學(xué)發(fā)展，減少對(duì)較為特異的半導(dǎo)體材料如砷化鎵的需求。

    IBM表示，其技術(shù)透過電氣激勵(lì)懸浮于摻雜晶圓上方的納米碳管，達(dá)到了1,000倍亮的發(fā)射強(qiáng)度。所產(chǎn)生的電子空穴對(duì)電氣中性，然而當(dāng)復(fù)合時(shí)發(fā)射出紅外線光。其它研究組織也報(bào)導(dǎo)過納米碳管發(fā)光，由激光激勵(lì)光致發(fā)光。IBM宣稱其技術(shù)僅采用電氣激勵(lì)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，密度比光致發(fā)光大100倍。

    該公司還表示，憑借其發(fā)光技術(shù)實(shí)現(xiàn)了非常高的效率，IBM在高摻雜的晶圓上的二氧化硅薄膜內(nèi)刻蝕了通道，制成了這款發(fā)光敏晶體管。晶圓底板充當(dāng)納米碳管晶體管的背面閘極。組件所發(fā)射的紅外線光強(qiáng)度與閘極驅(qū)動(dòng)電流呈指數(shù)相關(guān)。（來源：光纖新聞網(wǎng)）