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OpenLight與Tower Semiconductor驗證400G每通道硅光調制器性能

摘要:OpenLight與Tower Semiconductor基于商用化集成硅光平臺,PH18DA成功驗證了400G每通道調制器性能,為下一代3.2T及更高速率DR8/FR4提供商業(yè)化可行路徑。

  創(chuàng)新推動高量產硅光400每通道平臺,滿足下一代3.2T光通信架構需求

  ICC訊 3月12日,全球定制化PASIC芯片設計與制造領導者OpenLight,與高價值模擬半導體解決方案領先代工廠Tower Semiconductor,宣布基于商用化集成硅光平臺,PH18DA成功驗證了400G每通道調制器性能。該調制器采用行業(yè)標準PAM-4調制格式,驅動電壓峰峰值僅需0.6伏,消光比優(yōu)于3.5分貝。此次400G演示基于OpenLight的硅光知識產權(IP),并采用Tower Semiconductor現有硅光平臺實現流片(該平臺已支持客戶實現100G及200G每通道應用)。

  此次集成硅光技術Demo旨在支持下一代400G每通道的光通信架構,提供從100G、200G到400G的可擴展解決方案,以滿足云計算、人工智能(AI)及機器學習(ML)應用對高速數據傳輸的快速增長需求。通過在所有四個粗波分復用(CWDM)波長上實現400G每通道傳輸,該技術為下一代3.2Tbps及更高速率的DR8與FR4解決方案提供了商業(yè)化可行路徑。

  目前,由于純硅基調制器無法支持400G比特率,使得業(yè)界迫切需要一種高性價比解決方案。針對數據中心與AI應用(包括線性直驅LPO和共封裝光學CPO),基于異構集成(heterogeneous integration)的器件展現出顯著優(yōu)勢:小尺寸、高帶寬、低驅動電壓,并可在硅光平臺上實現規(guī)?;慨a。除400G調制器的異構集成外,該平臺還可將激光器、光放大器等元件在密集光子集成電路(PIC)中實現單片集成,兼顧成本與能效。

  OpenLight首席執(zhí)行官Dr. Adam Carter表示:“與Tower Semiconductor的合作是先進硅光技術融入數據中心領域的關鍵一步。此次成功驗證為高速網絡技術的突破性進展奠定了基礎。借助現有200G異構調制器設計,我們助力客戶實現PASIC設計從100G、200G到400G每通道的平滑演進,有效縮短設計周期、布局優(yōu)化及上市時間 — 400G調制器可直接替換現有200G調制器PASIC設計。采用相同設計的另一優(yōu)勢在于已驗證的高可靠性能,以及封裝至集成光學組件時使用倒裝(flip-chip)芯片工藝的能力?!?

  Tower Semiconductor首席執(zhí)行官Russell Ellwanger表示:“我們很高興與OpenLight合作,利用其尖端硅光技術開發(fā)支持400G/通道的高性價比方案。這是對現有PH18DA平臺(已支持100G及200G/通道)的延伸,現可為400G/通道提供成熟解決方案,并立即開放客戶原型設計。這是為下一代光通信技術提供可擴展、高可靠、高性能且可量產解決方案的重要里程碑。通過采用高塔PH18DA平臺,此次合作使傲光科技的異構集成技術無需依賴薄膜鈮酸鋰(TFLN)、鈦酸鋇(BTO)或聚合物等復雜昂貴替代方案,即可實現向更高速率的安全過渡?!?

  OpenLight和Tower Semiconductor將出席4月1-3日在美國舊金山舉辦的OFC 2025,OpenLight展位號# 4231,Tower Semiconductor 展位號#3222。

內容來自:訊石光通訊網
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文章標題:OpenLight與Tower Semiconductor驗證400G每通道硅光調制器性能
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