ICC訊 3 月 5 日消息,據(jù)越南政府新聞網(wǎng)報(bào)道,越南國(guó)民議會(huì)當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2 月 19 日批準(zhǔn)了為該國(guó)首座晶圓廠提供財(cái)政支持的計(jì)劃。
越南計(jì)劃在 2030 年底前建設(shè)一家小型半導(dǎo)體晶圓廠,為此政府制定了三大激勵(lì)舉措:
如果該晶圓廠能按時(shí)投產(chǎn),則企業(yè)可獲得總投資額 30%、不超過(guò) 10 萬(wàn)億越南盾(約合 5 億美元)的政府資金支持;
該晶圓廠將獲得額外 10%(總計(jì) 20%)的所得稅返還,用于技術(shù)再投資;
該晶圓廠的土地使用權(quán)可直接由分配取得,無(wú)需通過(guò)拍賣(mài)流程。
此外越南政府目標(biāo)在 2030~2040 年再建設(shè)兩座晶圓廠、2040~2050 年額外建設(shè)三座晶圓廠。
越南政府此舉旨在將該國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置從目前負(fù)責(zé)封裝測(cè)試的下游向上延伸。該國(guó)憑借首座晶圓廠可掌握芯片制造技術(shù)、培育半導(dǎo)體人才,并保障關(guān)鍵領(lǐng)域芯片的供應(yīng)安全。