NEC開發(fā)了用于超5G/6G無線電設備的150GHz天線片上發(fā)射器IC芯片

ICC訊（編譯：Vicki）NEC Corporation 開發(fā)了150GHz發(fā)射機IC芯片和支持技術，為超越5G和6G移動接入無線電通信系統(tǒng)做準備。根據(jù)NEC的一項調查，這是采用無線(OTA)輻射方向圖測量的4通道片上天線(AoC) IC技術首次展示首選波束轉向性能。

 基于創(chuàng)新的射頻電路設計技術，將150 GHz相控陣天線元件、移相器和傳輸放大器集成到單個芯片中已經(jīng)成為可能。用于制造該IC的22nm SOI-CMOS技術具有成本效益，適合批量生產(chǎn)，并且能夠支持芯片中數(shù)字，模擬和RF功能的大規(guī)模集成。這允許更高的頻率和更小的尺寸，這也有助于降低總擁有成本(TCO)，并可能加速社會實現(xiàn)。

Development of a 150 GHz transmitter IC chip and supporting technologies

 超5G和6G預計將提供100 Gbps級寬帶通信，比5G快10倍以上。為了實現(xiàn)這一目標，有效利用亞太赫茲頻段(100GHz至300GHz)，可以確保10GHz或更高的帶寬。特別是，在世界范圍內已經(jīng)被指定為固定無線通信系統(tǒng)的d波段(130 GHz ~ 174.8 GHz)，有望為社會的早日實現(xiàn)做出貢獻。

 但由于亞太赫茲頻段的傳播損耗大，互連損耗大，器件性能接近極限，因此需要發(fā)展高定向、高增益的天線技術及其波束導向技術。為了克服這些挑戰(zhàn)，NEC開發(fā)了一種支持150GHz頻段的新型IC芯片。

 展望未來，NEC將繼續(xù)開發(fā)先進技術，為預計在本世紀30年代實現(xiàn)6G的商業(yè)化做出貢獻。

4-channel antenna radiation pattern measurement results (150GHz)

本研究得到日本總務省(JPJ000254)的支持。

 NEC于2023年10月15日至18日在美國加利福尼亞州蒙特雷舉行的2023 IEEE BiCMOS和化合物半導體集成電路與技術研討會(BCICTS)上介紹該技術的更多細節(jié)。NEC還于2023年9月在德國柏林舉行的2023年歐洲微波集成電路會議上介紹了“基于開關增益的移相器”的關鍵原理和實現(xiàn)。