安立光器件開(kāi)發(fā)史 |（三）激光器芯片研發(fā)進(jìn)展

  1964年?yáng)|京奧運(yùn)會(huì)之后的日本經(jīng)濟(jì)高速增長(zhǎng)時(shí)期，通信需求大幅增加。日本電信電話公社(NTT的前身)決定建設(shè)光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)，標(biāo)志著光通信時(shí)代的開(kāi)始。因此，安立傳感與器件公司的前身開(kāi)始開(kāi)發(fā)用于光網(wǎng)絡(luò)測(cè)量?jī)x器的關(guān)鍵器件，如半導(dǎo)體激光器和高速混合集成電路。安立傳感器件公司今天的許多產(chǎn)品都繼承了這一時(shí)期的產(chǎn)品基礎(chǔ)。本系列文章介紹了安立傳感器件公司開(kāi)發(fā)的器件的歷史，本篇文章是第三篇，介紹公司主要光器件產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)故事。

  (一)半導(dǎo)體激光器開(kāi)發(fā)的黎明期

  (二)制程技術(shù)的變遷

  (1)泵浦激光器(Pump-LD)

  如上一篇文章所述，我們第一次大規(guī)模生產(chǎn)光學(xué)器件時(shí)，使用液相外延(LPE)生長(zhǎng)設(shè)備來(lái)形成半導(dǎo)體晶體。下圖表示典型LD橫截面。采用有源層InGaAsP(銦、鎵、砷化物、磷化物)填埋設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)全球最高光學(xué)輸出。

  Cross-Section of First LD Design

  在20世紀(jì)80年代末，通過(guò)在光纖芯中摻雜稀土鉺(Er)來(lái)直接放大1.5-μm波長(zhǎng)的光信號(hào)。由于這種直接放大方法使用小型、低成本的1.48μm半導(dǎo)體激光器作為泵浦光源，因此這些激光二極管推廣迅速。在高速、大容量通信網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

  20世紀(jì)90年代初，我們?cè)诟吖β瘦敵鯨D技術(shù)方面的取得了不小的成績(jī)，發(fā)布了一款用于光纖的50mW 泵浦激光器(Pump-LD)，一舉成為主要的市場(chǎng)參與者，借此泵浦激光器(Pump-LD)發(fā)展成為主要的產(chǎn)品線。

  20世紀(jì)90年代，隨著氣相外延生長(zhǎng)設(shè)備的引入，晶體的生長(zhǎng)過(guò)程發(fā)生了變化，如下圖顯示了現(xiàn)代泵浦LD設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的主要變化。新結(jié)構(gòu)擁有很多自己的特征，例如半導(dǎo)體襯底、有源層蝕刻、包層和LD芯片長(zhǎng)度的變化。

  Cross-Section of Latest Pump LD Design

  為了提高輸出功率，需要加長(zhǎng)芯片和調(diào)整有源層厚度。在有源層下方的InP附近采用InGaAsP包層，可以大大提高性能。通常光分布是垂直對(duì)稱的，但在這種結(jié)構(gòu)中光分布是不對(duì)稱的，因?yàn)楣夥植枷蚋哒凵渎室r底側(cè)不均衡。以這種方式擴(kuò)展有源層的長(zhǎng)度和寬度對(duì)于提高輸出功率起著關(guān)鍵作用。

  在第一個(gè)開(kāi)發(fā)階段，LD芯片的長(zhǎng)度為300μm，但在現(xiàn)代設(shè)計(jì)中已達(dá)到幾個(gè)毫米，成功實(shí)現(xiàn)芯片輸出功率超過(guò)1W。目前，我們的高輸出產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)650mW的光纖輸出，是首個(gè)產(chǎn)品輸出水平的10倍以上。由于晶體外延生長(zhǎng)設(shè)備的進(jìn)步和革命性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的引入，使得由極薄的半導(dǎo)體層(只有幾個(gè)原子厚度)制成的量子阱結(jié)構(gòu)得以實(shí)現(xiàn)。

  (2)DFB激光器(DFB-LD)

  一般的激光二極管，如泵浦LD，以多個(gè)縱模振蕩，但用作光通信光源的LD必須以單縱模形式存在。因此，我們研制了一款內(nèi)置光柵的分布反饋半導(dǎo)體激光器(DFB-LD)，用于選擇特定波長(zhǎng)。

  光柵是一種常見(jiàn)的光學(xué)元器件，利用波長(zhǎng)周期及相位間隔形成衍射和干涉產(chǎn)生干涉條紋。下圖(a)用于制作圖案的干涉曝光設(shè)備的示意圖。氬激光器發(fā)出的激光分裂成兩條路徑，在基板上制作條紋圖案。圖(b)在基板上制作的光柵圖案示例;波紋節(jié)距取決于目標(biāo)波長(zhǎng)，但通常約為四分之一微米。圖(c)重新生長(zhǎng)后的半導(dǎo)體襯底DFB-LD光柵圖案。

  近年，主要趨勢(shì)是電子束(EB)光刻方法取代光學(xué)干涉曝光方法，我們也引進(jìn)了這項(xiàng)技術(shù)。電子束光刻設(shè)備可以使用電子槍的電子束直接在晶圓上繪制精細(xì)圖案。優(yōu)點(diǎn)是激光波長(zhǎng)略有不同的激光二極管可以在一個(gè)晶圓上制造，并且每個(gè)光柵的間距可以在單個(gè)芯片內(nèi)改變。

  DFB-LD設(shè)計(jì)不僅用作光通信光源，而且通常與電吸收(EA)調(diào)制器集成。此外，使用一個(gè)模塊支持多個(gè)波長(zhǎng)的可調(diào)諧波長(zhǎng)激光器也變得越來(lái)越普遍。另一方面，氣體檢測(cè)傳感器需要波長(zhǎng)與氣體吸收線匹配的光源，為固定波長(zhǎng)DFB LDs提供應(yīng)用，無(wú)需高速調(diào)制。