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IFOC 2020 | 敏芯半導(dǎo)體王任凡:5G基站的光芯片解決方案

摘要:9月7-8日,第十九屆訊石研討會(IFOC 2020)圓滿舉辦,在《通信半導(dǎo)體芯片》專題,演講嘉賓武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人王任凡帶來了主題為《5G基站的光芯片解決方案》的精彩演講。王總詳細介紹了5G基站所需的芯片及敏芯半導(dǎo)體所提供的芯片產(chǎn)品。

  ICC訊 9月7-8日,第十九屆訊石研討會(IFOC 2020)圓滿舉辦,在《通信半導(dǎo)體芯片》專題,演講嘉賓武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人王任凡帶來了主題為《5G基站的光芯片解決方案》的精彩演講。王總詳細介紹了5G基站所需的芯片及敏芯半導(dǎo)體所提供的芯片產(chǎn)品。

  5G組網(wǎng)由前傳、中傳、回傳組成。其中,5G前傳會用到大量的光模塊,現(xiàn)下需要解決主干和光纖配線不足的問題,同時兼顧運營和時延。目前各運營商之間有相應(yīng)的方案,現(xiàn)存的方案分別有光纖直連—灰光/BIDI方案、無源WDM—彩光、有源WDM—可調(diào)諧波長、半有源WDM-MWDM/LAN WDM—12波。針對以上方案所對應(yīng)的不同光芯片需求,敏芯半導(dǎo)體相對應(yīng)地提供了不同的解決方案。

  2020年運營商集采火熱,根據(jù)中國移動廣東公司2020年無源波分復(fù)用設(shè)備公開招標項目合計,分別需要25G彩光光模塊23萬支,10G彩光模塊28萬支。10G彩光模塊6波波長為1270nm~1370nm,12波波長為1270nm~1370nm + 1470nm~1570nm。為了順應(yīng)運營商和光模塊廠商對5G芯片的需求,敏芯半導(dǎo)體自成立以來就專注于5G芯片的研發(fā)與量產(chǎn),為5G組網(wǎng)所需的光芯片產(chǎn)品做了充分準備,推出了高可靠性的前沿產(chǎn)品。

  5G 前傳光芯片 - 10G DFB

  D10xx-x0-xxx 系列是10Gbps單模邊發(fā)射DFB激光器,可應(yīng)用于10Gb/s傳輸速率 。 該 系 列 采 用AlGaInAs多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計,脊波導(dǎo)工藝,具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點。芯片正表面提供8位十進制數(shù)字編碼用于追溯。所有出貨的芯片均須符合100%的常溫及高溫測試規(guī)格 ??芍С謹U展級( -20C ~ 85C ) 溫 度 范 圍 應(yīng) 用 條 件 , 可支持1270nm~1610nm共18波長通道。

  5G 前傳光芯片 - 16G DFB

  D1631-x0-xxx 系列是1310nm 16Gbps單模邊發(fā)射DFB激光器,可應(yīng)用于25Gb/s傳輸速率。該系列采用AlGaInAs多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計,脊波導(dǎo)工藝,具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點。芯片正表面提供8位十進制數(shù)字編碼用于追溯。所有出貨的芯片均須符合100%的常溫及高溫測試規(guī)格。帶寬規(guī)格在16GHz以上,可支持工業(yè)級應(yīng)用條件。

  5G 前傳光芯片 - 25G CWDM DFB

  D25xx-x0-xxx 系列是25Gbps單模邊發(fā)射DFB激光器 , 可應(yīng)用于25Gb/s傳輸速率。該 系列采用AlGaInAs多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計,脊波導(dǎo)工藝,具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點。芯片正表面提供8位十進制數(shù)字編碼用于追溯。所有出貨的芯片均須符合100%的常溫及高溫測試規(guī)格??芍С謹U展級(-20℃~85℃)溫度范圍應(yīng)用條件。

  敏芯半導(dǎo)體參與了中國移動和中國電信制定標準過程,在過去一年多的時間里,公司花了大量的精力研發(fā)生產(chǎn)中國移動、中國電信的所需的系列芯片。王總在會議現(xiàn)場展示波長為1310nm、1350nm、1370nm的25G CWDM DFB光芯片在-40℃ 、25℃、 85℃下的眼圖,結(jié)果十分優(yōu)秀。

  2019年9月的訊石研討會上,中國移動李晗博士提出了5G前傳MWDM的方案,同年年底,敏芯半導(dǎo)體就推出與之匹配的12波長通道的D25xx-x0-xxx 系列芯片,即25Gbps單模邊發(fā)射DFB激光器,可應(yīng)用于25Gb/s傳輸速率。該系列采用AlGaInAs多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計,脊波導(dǎo)工藝,具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點。芯片正表面提供8位十進制數(shù)字編碼用于追溯。所有出貨的芯片均須符合100%的常溫及高溫測試規(guī)格。支持波長1269nm/1273nm/1289nm/1293nm/1309nm/1313nm/1329nm/1333nm/1349nm/1353nm/1369nm/1373nm 共 12個波長通道。該芯片在55℃條件下波長分布測試以及55℃的條件下測試的幾個通道的眼圖均滿足規(guī)范要求。

  中國電信推出的LWDM的方案,敏芯半導(dǎo)體也有匹配的D25xx-x0-xxx 系列芯片,即 25Gbps單模邊發(fā)射DFB激光器 , 可應(yīng)用于25Gb/s傳輸速率。 該系列采用AlGaInAs多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計,脊波導(dǎo)工藝,具有低閾值、高帶寬、寬溫工作等特點。芯片正表面提供8位十進制數(shù)字編碼用于追溯。所有出貨的芯片均須符合100%的常溫及高溫測試規(guī)格,支持所有12個波長通道。

  運營商間不同的方案中主要是波長趨勢的區(qū)別,影響波長的因素:

  光柵周期

  MQW PL

  MQW 應(yīng)變

  脊寬/有源區(qū) 寬度

  目前,主流光柵制作技術(shù)如EBL,其制作的光柵波長精度為±1-1.5nm,CWDM商業(yè)級和MWDM芯片由于對波長范圍要求較寬,因此不存在波長偏離導(dǎo)致低良率問題,而LWDM對波長的要求是±1nm以內(nèi),可能會由于為波長問題導(dǎo)致良率降低。25G DFB的可靠性是芯片商最關(guān)注且最難攻克的問題,芯片的材料生長、界面、端面、電極、封裝等環(huán)節(jié)都可能導(dǎo)致芯片失效,敏芯半導(dǎo)體反復(fù)試驗,不斷分析和總結(jié)可能會導(dǎo)致芯片失效的因素并針對性地加以改進。在芯片出貨前,公司制定嚴格的芯片考核流程,測試各方面的參數(shù),進行了數(shù)百次的可靠性試驗,使得敏芯半導(dǎo)體推出的芯片完全符合設(shè)計要求和業(yè)界應(yīng)用要求。

  除了激光器,敏芯半導(dǎo)體也推出了用于5G前傳的系列探測器產(chǎn)品。P16xx-x0-xxx 系列是基于InGaAs/InP材料設(shè)計的GSG共面電極半導(dǎo)體光電探測器,可應(yīng)用于25Gb/s傳輸速率。該產(chǎn)品具有高響應(yīng)度,低暗電流和低電容值等特點,支持高帶寬,高靈敏度的接收器件要求,同時在芯片設(shè)計上支持非氣密性封裝,光敏面為30um。

  在5G 中回傳光芯片方面,P50xx-x0-xxx 系列是基于InGaAs/InP材料設(shè)計的GSG共面電極半導(dǎo)體光電探測器,可應(yīng)用于25GBuad/s NRZ及50Gb/s PAM4調(diào)制信號傳輸。該產(chǎn)品具有高響應(yīng)度,低暗電流和低電容值等特點,支持高帶寬,高靈敏度的接收器件要求,同時在芯片設(shè)計上支持非氣密性封裝,光敏面為16um。

  另外,針對5G中回傳方面,敏芯半導(dǎo)體關(guān)于25G APD的研發(fā)已經(jīng)取得了一定成果,目前也推出了50G EML相關(guān)樣品,帶寬測試符合設(shè)計要求。

  【武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司于2017年12月在中國光谷成立,是一家專注于光通信用激光器和探測器芯片產(chǎn)品,集研發(fā)、制造和銷售于一體的高科技企業(yè)。作為光通信領(lǐng)域國內(nèi)首家獨立的全系列光芯片供應(yīng)商,公司主營業(yè)務(wù)為2.5G/10G/25G/50G全系列激光器和探測器光芯片及封裝類產(chǎn)品。公司以“做好每一顆光芯片,讓世界愛上中國芯”為企業(yè)使命,為全球光器件和光模塊廠商提供優(yōu)質(zhì)全系列光通信光芯片產(chǎn)品及技術(shù)服務(wù)?!?

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