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CUMEC參展CIOE2020 構(gòu)建硅基光電子芯片開放平臺(tái)

摘要:2020年9月9-11日,第22屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)圓滿舉辦,CUMEC在 8號(hào)館8D53展位展示從設(shè)計(jì)到制造、封測(cè)三大服務(wù)平臺(tái)。

  ICC訊 2020年9月9-11日,第22屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)圓滿舉辦,CUMEC在 8號(hào)館8D53展位展示從設(shè)計(jì)到制造、封測(cè)三大服務(wù)平臺(tái)。

  聯(lián)合微電子中心是由重慶市政府牽頭組建的國(guó)家級(jí)國(guó)際化新型研發(fā)機(jī)構(gòu),中心著眼高端工藝開發(fā)和核心產(chǎn)品協(xié)同設(shè)計(jì),建立自主可控IP庫,打造基于IP復(fù)用的網(wǎng)絡(luò)化集成產(chǎn)品協(xié)同設(shè)計(jì)平臺(tái),將建立國(guó)際主流的8吋先導(dǎo)工藝平臺(tái)與國(guó)際一流的12吋特色工藝平臺(tái)。CUMEC致力于為客戶提供硅基光電子芯片設(shè)計(jì)、芯片制備、芯片光電封裝服務(wù)的全流程芯片開發(fā)平臺(tái)。


  一、設(shè)計(jì)服務(wù)

  CUMEC專注于面向多個(gè)應(yīng)用的芯片設(shè)計(jì)服務(wù),包括硅基光電子、三維集成、智能傳感。

 二、 硅光工藝服務(wù)

  CUMEC公司8時(shí)特色工藝平檔投資13億,以硅基光電子異質(zhì)異構(gòu)三維集成為核心技術(shù),是目前國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)唯一完整具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光電微系統(tǒng)先導(dǎo)工藝平臺(tái),具有光刻、別蝕、注入、擴(kuò)散、薄膜、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、外延等完整的集成電路工藝制作能力。依托高水平人才骨干團(tuán)隊(duì),8時(shí)硅基光電子工藝平臺(tái)建設(shè)不到一年成功通線,核心技術(shù)開發(fā)取得重大突破,多項(xiàng)成果國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,中試產(chǎn)能3000片/月。

  8時(shí)特色工藝平臺(tái)擁有設(shè)備儀器120余臺(tái)套,配置ArF (193nm)、KrF(248nm)、i-line光刻機(jī)和配套的刻蝕、介質(zhì)層淀積等設(shè)備,具備90nm小線寬光刻、刻蝕、介質(zhì)工藝能力;配 置W-CVD、AI/Ti/TiN/Cu/Ta/TaN等金屬薄膜設(shè)備,具備W-plug、A布線、大馬士革布銅布線能力;配置多種瞎合機(jī)、雙面光刻機(jī)、解健合機(jī)、減薄、深硅刻蝕、厚Cu電鍵等典型3D集成設(shè)備,具備各種鍵合、減薄、TSV(典型∶10*100um)、RDL(再布線)等3D集成工藝能力。

 180nm硅光工藝PDK

  CUMEC PDK(CSIP180AL)基于180nm硅光工藝開發(fā),村底采用200mm SOl溫圓,220nm頂層硅+2um BOX;

  提供3層硅刻蝕,4xP/N摻雜,Ge外延,熱電極,金屬互連等工藝,可選無源和有源規(guī)格,提供豐富的baseline器件;

  一站式硅光解決方案,支持設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試全流程;

  合理的流片價(jià)格,領(lǐng)先的交付速度。

  三、硅基光電子封裝測(cè)試平臺(tái)提供的封裝技術(shù)服務(wù)

  CUMEC硅光封測(cè)平臺(tái)是國(guó)內(nèi)唯一的具備硅光芯片定制化全流程封裝測(cè)試服務(wù)能力的開放式服務(wù)平臺(tái)。

  CUMEC公司于2019年搭建完成的硅基光電子封裝測(cè)試平臺(tái)是國(guó)內(nèi)首個(gè)全流程硅基光電子封裝測(cè)試平臺(tái),具備±0.5um精度的光纖封裝能力;在光域測(cè)試方面具備10kHz窄線寬掃譜測(cè)試、600nm-1700nm譜寬及±0.04nm@(1450-1520nm)的光譜測(cè)試精度能力;在時(shí)域測(cè)試方面,支持64GBaud符號(hào)率眼圖測(cè)試;在頻域測(cè)試方面,支持10MHz-67GHz頻率范圍帶寬測(cè)試。該平臺(tái)對(duì)外提供的封裝技術(shù)服務(wù)包含,封裝損耗≤0.2dB/端的光柵封裝服務(wù);封裝損耗≤0.5dB/端的端面封裝服務(wù);通道間隔≤40um的高密度封裝;RF封裝帶寬≤20GHz。

  該平臺(tái)具備硅光全流程封裝測(cè)試所需的全部硬件設(shè)備,高值設(shè)備主要有光波元件分析儀、高速誤碼測(cè)試系統(tǒng)、高精度合系統(tǒng)、高精度封裝系統(tǒng)、自動(dòng)光纖耦合系統(tǒng)、O波段窄帶寬掃譜激光器、C+L波段窄帶寬掃譜激光器、光任意波形發(fā)生器、高速實(shí)時(shí)示波器、光采樣示波器、多通道高精度電源系統(tǒng)等。

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