[圖]英特爾：硅光子將是未來(lái)10年3大支柱技術(shù)之一

來(lái)自日經(jīng)BP社報(bào)道，英特爾高級(jí)研究員查斯丁·萊特納（Justin Rattner）日前表示，基于硅的光電子、即“硅光子”技術(shù)在該公司未來(lái)10年的新技術(shù)中已被定位于3大技術(shù)之一。這是萊特納在2005年4月7日～8日于東京臺(tái)場(chǎng)召開(kāi)的2005年英特爾IDF日本春季會(huì)議的主題演講中所做的表示。萊特納在2005年3月于美國(guó)召開(kāi)的IDF會(huì)議也曾做過(guò)內(nèi)容相同的主題演講。

　　萊特納在主題演講中舉出了15項(xiàng)未來(lái)10年非常重要的技術(shù)。其中3項(xiàng)尤為重要的技術(shù)包括（1）多內(nèi)核等并行處理；（2）硅光子；（3）虛擬平臺(tái)等3項(xiàng)技術(shù)。硅光子領(lǐng)域就是指利用與CMOS兼容的硅技術(shù)開(kāi)發(fā)光電子元件。

提高芯片之間以及芯片與內(nèi)存之間的通信速度

　　英特爾將硅光子定位于解決該公司稱之為“芯片間信號(hào)問(wèn)題”的劃時(shí)代對(duì)策。所謂芯片間信號(hào)問(wèn)題，就是指如何確保層疊的晶圓之間、或者各晶圓與內(nèi)存之間的布線帶寬?！拔覀冎兰偃缬霉膺M(jìn)行布線，就能確保足夠的帶寬。但過(guò)去成本太高”（英特爾）。過(guò)去的通信用光學(xué)元件大多使用InAs等叫做“III‐V族”的化合物，成本非常高。該公司認(rèn)為假如能夠利用長(zhǎng)期以來(lái)積累的CMOS技術(shù)在硅晶圓上形成光學(xué)元件，就能在低成本條件下實(shí)現(xiàn)大帶寬的芯片間布線，因此一直都在從事硅光子的研究開(kāi)發(fā)。

　　據(jù)該公司稱，在導(dǎo)光管、受光元件和調(diào)制器方面目前已經(jīng)利用硅技術(shù)開(kāi)發(fā)出高性能元件。在主題演講中，萊特納宣稱：“過(guò)去唯一一種不能利用硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)的元件就是發(fā)光元件。但最近我們?cè)谶@種元件開(kāi)發(fā)中已經(jīng)實(shí)現(xiàn)根本性的突破”。這里所指的就是英特爾2005年2月發(fā)表的利用拉曼效應(yīng)在硅底板上形成的激光元件?！氨M管過(guò)去有人認(rèn)為即便制成化合物類光學(xué)元件，也難在實(shí)現(xiàn)實(shí)用化，但這次的拉曼激光元件則不同。實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并不是太難”（英特爾技術(shù)人員），看來(lái)拉曼激光元件的開(kāi)發(fā)使得硅光子實(shí)現(xiàn)的可能性大大地增加了。

　　該公司希望將硅光子技術(shù)不斷應(yīng)用于各種用途。具體包括芯片間通信、底板布線與顯示器之間的連接、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器之間的連接，化學(xué)分析，以及醫(yī)療激光元件等領(lǐng)域。

英特爾設(shè)想的硅光子應(yīng)用領(lǐng)域