[圖]NEC發(fā)布新型硅二極管 高速實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換

據(jù)日經(jīng)BP社的報道，NEC日前成功開發(fā)了可將光信號高速轉(zhuǎn)換為電信號的硅發(fā)光二極管，并在“國際納米綜合展·技術(shù)會議（nano tech 2005）”上展出。通過采用硅材料生產(chǎn)，不僅可以減小光通信系統(tǒng)的體積、實現(xiàn)低成本，而且將來還有望在LSI內(nèi)部的光布線中使用。

　　一般情況下，硅發(fā)光二極管與InP（磷化銦）等制成的化合物半導體相比，光吸收率及載流子遷移率較低，因此很難提高靈敏度。而此次通過在傳感器上部設(shè)置銀制天線、利用稱為表面等離子體諧振（Surface Plasmon Resonance）現(xiàn)象生成了很強的近場光，從而解決了這一問題。另外，通過大幅減小元件體積，降低了寄生電阻和寄生電容，從而實現(xiàn)了可與20GHz化合物半導體媲美的高速特性。這樣，便實現(xiàn)了比原來的硅二極管快1位數(shù)以上的應(yīng)答速度，今后通過改進元件構(gòu)造，理論上還可實現(xiàn)100GHz以上的超高速信號傳輸。

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