NTT開發(fā)出GaN系半導(dǎo)體面發(fā)光激光器

NTT尖端技術(shù)綜合研究所開發(fā)出GaN系半導(dǎo)體面發(fā)光激光器，并在“NTT R&D論壇2004 in厚木”展示。過去曾用GaAs及InP工藝制造面發(fā)光激光器，但用GaN系制作電流注入型面發(fā)光激光器尚屬首次。激光發(fā)光波長為405nm。

該產(chǎn)品在同一塊基板上制作沿基板水平方向發(fā)射激光的元件和用來反射激光的反光鏡。激光受反光鏡反射后與基板呈64°角形成面發(fā)光。為了在同一塊基板上形成上述兩零件，首先用干蝕刻（dry etching）加工SiC基板上的GaN系半導(dǎo)體，然后再生長p型GaN。再生長后與基板垂直的面為激光發(fā)射部分，與基板呈64°角的面為反光鏡部分。通過蒸鍍鋁使反光鏡部分的反射率提高到95%左右。

由于可在同一基板上制作多個激光元件和反光鏡，因此可減少發(fā)射激光的位置公差和反射角度公差。如果并用多個該激光元件，將能夠?qū)崿F(xiàn)可高速讀寫的光盤、可高速打印的激光打印機以及高亮度投影機。

今后的課題是如何降低閾值電流和實現(xiàn)連續(xù)振蕩。目前的閾值電流高達1.45A，必須將其減小到幾十mA。目前還未實現(xiàn)連續(xù)振蕩，只能實現(xiàn)脈沖振蕩。