據(jù)日經(jīng)BP社的報(bào)道,富士通研究所日前使用InP-HEMT技術(shù),成功地開發(fā)出了在數(shù)字電路中全球最快的144Gbit/秒選擇器電路和100Gbit/秒4對(duì)1多路復(fù)用器。據(jù)稱使用此次開發(fā)的技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)速度超過100Gbit/秒的高速通信芯片。此次開發(fā)的技術(shù)概要如下:
?。?)時(shí)鐘延遲電路技術(shù):根據(jù)因電路種類而異的遲延時(shí)間的差異性,開發(fā)出了高精度時(shí)鐘延遲電路。該電路的結(jié)構(gòu)與數(shù)據(jù)處理電路完全相同,由多個(gè)電路部件構(gòu)成,能夠以相對(duì)于數(shù)據(jù)間隙(10ps)10%以內(nèi)的精度校準(zhǔn)數(shù)據(jù)與時(shí)鐘信號(hào)之間的時(shí)序。
?。?)Y型InP-HEMT技術(shù):通過采用Y型柵電極剖面結(jié)構(gòu),與過去的T型結(jié)構(gòu)相比將機(jī)械強(qiáng)度提高到了約10倍,能夠高精度、大規(guī)模地集成柵長(zhǎng)0.1μm的晶體管。
該公司表示,今后希望利用這些技術(shù),不斷地開發(fā)多路復(fù)用器和多路分配器等高性能、高集成度電路,并進(jìn)一步提高開發(fā)速度、推動(dòng)Tbps級(jí)通信系統(tǒng)的開發(fā)。