基于鈮酸鋰光子晶體微腔的全光邏輯門和半加器

  邏輯門是執(zhí)行“或”、“與”、“非”、“或非”、“與非”等邏輯運算的電路，任何復(fù)雜的邏輯電路都可由這些邏輯門組成。未來的通信網(wǎng)將朝著全光網(wǎng)絡(luò)的目標發(fā)展。全光邏輯門器件是用于全光尋址鑒別、光分組交換、光子運算等快速高容量全光信息處理的重要組件。目前全光邏輯門主要采用波導(dǎo)光纖制作，難以集成在小型集成芯片上。

  光子晶體中的缺陷波導(dǎo)具有尺寸小、控光能力強的特性，使其成為設(shè)計小型化光邏輯門的關(guān)鍵方法。到目前為止，全光邏輯門大多是在硅基光子晶體材料上設(shè)計和集成的。然而，硅的雙光子吸收和三階非線性效應(yīng)會引起非線性損耗和信號串擾，導(dǎo)致硅邏輯門的消光比較低。鈮酸鋰具有獨特的電光、聲光、壓電等物理特性，是未來開發(fā)集成光子芯片的理想材料?；?A href="http://3xchallenge.com/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e9%93%8c%e9%85%b8%e9%94%82&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">鈮酸鋰光學平臺開發(fā)全光邏輯門對構(gòu)建集成光子芯片和全光網(wǎng)絡(luò)具有重要意義。

  上海交通大學陳險峰、陳玉萍課題組基于柱形二維鈮酸鋰光子晶體，研究了鈮酸鋰光子晶體W1缺陷波導(dǎo)的雙光干涉過程，和鈮酸鋰光子晶體L2缺陷微腔對波導(dǎo)導(dǎo)光的影響。隨后，該課題組提出了一種結(jié)合二維光子晶體缺陷波導(dǎo)和光子晶體缺陷微腔的全光邏輯門的新型設(shè)計。所設(shè)計的全光邏輯門的消光比最高能達到23 dB?；谏鲜龌A(chǔ)邏輯門器件，該課題組設(shè)計了全光半加器的結(jié)構(gòu)，成功實現(xiàn)了邏輯運算的基本功能。相關(guān)研究結(jié)果發(fā)表于Chinese Optics Letters 2019年第17卷第7期(Chenghao Lu et al., All-optical logic gates and a half-adder based on lithium niobate photonic crystal micro-cavities )。

鈮酸鋰光子晶體中全光半加器的結(jié)構(gòu)示意圖

  該研究團隊的陳玉萍教授指出：“這項工作為未來基于鈮酸鋰薄膜(LNOI)材料上全光水平的光子計算提供了一個高效的實現(xiàn)方案。后續(xù)工作主要是在鈮酸鋰薄膜中設(shè)計新型全光邏輯門和加、減法器結(jié)構(gòu)，同時尋找合適的加工方法制作該鈮酸鋰光子晶體結(jié)構(gòu)，為未來片上全光計算的應(yīng)用集成奠定基礎(chǔ)?！?