宏芯科技宣布400G DR4/FR4硅光芯片正式實現(xiàn)量產(chǎn)

  ICC訊 近日，硅光技術(shù)提供商宏芯科技宣布正式推出面向數(shù)據(jù)中心收發(fā)器應(yīng)用的400G DR4和400G FR4硅光芯片，通過對公司自研的2萬顆400G DR4和FR4硅光芯片進行完整的性能和可靠性測試，其測試結(jié)果表明：400G DR4和FR4硅光芯片的良率分別為91.8%和90.5%，可以滿足數(shù)據(jù)中心收發(fā)器客戶的應(yīng)用需求。

  隨著400G光模塊在北美數(shù)據(jù)中心開始規(guī)模商用，硅光技術(shù)的市場份額進一步擴大。根據(jù)光子學(xué)調(diào)研機構(gòu)Yole預(yù)測，2027年全球硅光子芯片市場將達10億美元，其中數(shù)據(jù)中心收發(fā)器將成為2021年至2027年硅光子芯片最大應(yīng)用，預(yù)計復(fù)合年增長率(CAGR)將達22%。麥肯錫也在近期報告中指出，基于硅光子芯片的數(shù)據(jù)中心收發(fā)器市場達到5億美元，未來有望實現(xiàn)爆發(fā)式增長。

  宏芯科技緊密結(jié)合行業(yè)技術(shù)演進和客戶需求推出的400G DR4和FR4硅光芯片具有獨特的性能優(yōu)勢。本次驗證的兩款硅光芯片中光調(diào)制器的電光帶寬大于38GHz，并且與主流商用電驅(qū)動器完全匹配，在-2.5V偏置、3V擺幅、53.125GBaud PAM4電信號的驅(qū)動下，Outer ER約為5dB，TDECQ約為1dB。同時，DR4硅光芯片兼容1個和2個DFB大功率激光器輸入，用戶可根據(jù)實際需要自由選擇，F(xiàn)R4硅光芯片集成低插損光學(xué)波分復(fù)用器，可降低光模塊鏈路損耗，提高其抗環(huán)境干擾能力。

  此外，經(jīng)過特殊設(shè)計的模斑轉(zhuǎn)換器，可以與主流商用大功率DFB激光器和普通單模光纖分別實現(xiàn)約1.5dB和1dB的光耦合，硅光芯片內(nèi)集成光電探測器，既可以用于有源光耦合的光功率監(jiān)測，也可以用于硅光調(diào)制器動態(tài)工作點的鎖定。相對較低的電功耗和鏈路損耗設(shè)計，可使光模塊無需TEC即可在0~70oC范圍內(nèi)正常工作，大大降低了光模塊的整體功耗。

硅光晶圓測試系統(tǒng)和硅光芯片眼圖

  關(guān)于宏芯科技

  宏芯科技是一家專注于數(shù)據(jù)中心用硅光芯片的研發(fā)與生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)，擁有國際一流的硅光芯片技術(shù)，研發(fā)和生產(chǎn)的100G/200G/400G硅光芯片，可以滿足光模塊制造商的海量需求。

  宏芯科技網(wǎng)址：www.macrochip.com.cn