半導體激光芯片商長光華芯順利完成B輪1.5億融資

  ICCSZ訊 最新消息，2018年7月，長光華芯順利完成1.5億元B輪融資，本輪融資的投資方為：國投創(chuàng)業(yè)、中科院創(chuàng)投、蘇州橙芯創(chuàng)投。

  長光華芯自2012年成立以來一直致力于高功率半導體激光器芯片及相關光電器件和應用系統(tǒng)的研發(fā)生產和銷售，擁有從芯片設計、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合、激光系統(tǒng)等完整的工藝平臺和量產線，是全球少數(shù)幾家、國內唯一一家研發(fā)和量產高功率半導體激光器芯片的公司，長光華芯在高功率半導體激光器芯片方面率先打破長期依賴進口“有器無芯”的局面。

  本輪融資將主要圍繞長光華芯主營業(yè)務戰(zhàn)略建設如下項目：

  高功率半導體激光芯片和模塊產能提升5-10倍；

  VCSEL激光雷達芯片研發(fā)及量產；

  直接半導體激光器量產及應用。

  加之2018年3月公司與高新區(qū)簽署協(xié)議共建半導體激光創(chuàng)新研究院，建設領先的半導體激光研發(fā)平臺，至本輪融資順利完成，長光華芯的“一平臺，一支點，橫向擴展，縱向延伸”戰(zhàn)略布局全部完成。

  高功率半導體激光芯片和模塊產能擴充項目

  長光華芯已攻克包含外延生長技術、腔面鈍化技術、器件制作和高能合束耦合等方面的多個技術難題，公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產品，在功率、亮度、光電轉換效率、壽命等方面屢次突破，獲多項專利，與國際一流水平同步。

長光華芯激光芯片

  長光華芯自主研發(fā)的高功率915nm激光芯片，發(fā)光區(qū)寬度為90μm，轉換效率高達65%，芯片輸出功率等指標與國際一流水平同步，具有轉換效率高，長壽命等特點，現(xiàn)已累計銷售芯片超過200萬片，是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產高功率半導體激光器芯片的公司。

長光華芯光纖耦合模塊

  長光華芯915nm模塊和976nm模塊采用自主研發(fā)的高可靠性激光芯片，具有光譜質量好，波長隨溫度漂移范圍可控的特點，其中976nm模塊光纖激光器光光轉換效率可達85%，大幅節(jié)省有源光纖，方案經過批量驗證，應用于高功率光纖激光器已無技術障礙，是高功率光纖激光器理想泵浦源。

  目前長光華芯產品廣泛應用于：工業(yè)激光器泵浦、激光先進制造裝備、生物醫(yī)學美容、高速光通信、機器視覺與傳感、國防建設等。產品經多年經營已獲得客戶認可，915nm芯片、915nm模塊、976nm模塊等更是引領了市場方向，隨著產品在市場上得到越來越多的認可和肯定，長光華芯客戶需求和訂單持續(xù)處于急速上升趨勢，通過本輪融資，長光華芯將對高功率激光芯片及光纖耦合模塊進行產能擴充，將產能在現(xiàn)有基礎上提升5-10倍，形成長光華芯發(fā)展的一個強有力的“支點”，以滿足客戶需求。

  VCSEL激光雷達芯片研發(fā)和量產項目

媒體在長光華芯展臺介紹VCSEL芯片

  2018年2月，長光華芯成立了VCSEL事業(yè)部，“橫向擴展”，先后引進多位行業(yè)資深專家，組建專業(yè)研發(fā)團隊，開設6’晶圓生產線，增加MOCVD晶圓生長爐、步進光刻機等量產設備，加緊研發(fā)項目和量產產線布局，以應對消費和工業(yè)市場呈爆發(fā)式增長的需求，緩解我國VCSEL激光器芯片的緊缺問題?；诠境墒斓母吖β拾雽w激光器芯片量產平臺，公司在開展VCSEL芯片的研發(fā)工作時進展迅速，在短短不到6個月的時間里就已經攻克了材料外延生產的精確控制、穩(wěn)定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題。目前長光華芯的VCSEL芯片已通過小批量試產，進入送樣和客戶驗證階段。

  直接半導體激光器量產及應用項目

  長光華芯是國內最早立項，并量產和銷售直接半導體激光系統(tǒng)的公司之一，自2012年以來，長光華芯通過承擔國家項目和多家工業(yè)客戶的驗證，已經打造了直接半導體激光系統(tǒng)品牌，2018年5月，公司專項成立了激光系統(tǒng)事業(yè)部，“縱向延伸”，事業(yè)部的成立旨在為工業(yè)激光材料加工領域提供具有技術優(yōu)勢、高性價比的產品解決方案，推進國內直接半導體激光器工業(yè)應用進程。今年10月，長光華芯將攜新一代直接半導體激光器系列產品亮相深圳“華南國際先進電子、智能制造及激光技術博覽會”。

  長光華芯與蘇州高新區(qū)共建半導體激光創(chuàng)新研究院

半導體激光創(chuàng)新研究院簽約儀式

  2018年3月，蘇州高新區(qū)政府與長光華芯在上海簽署協(xié)議，宣布雙方在蘇州高新區(qū)共建半導體激光創(chuàng)新研究院，總投資5億元，建設國內一流的半導體激光芯片研發(fā)平臺，充分利用長光華芯已有的高功率半導體激光芯片優(yōu)勢，并拓展激光3D傳感芯片(含VCSEL)，高速光通信芯片，激光照明，激光顯示等方向和領域。

半導體激光創(chuàng)新研究院效果圖

  半導體激光創(chuàng)新研究院包含研發(fā)大樓、辦公大樓、生產工藝大樓等設施，總占地面積將近五萬平方米，目前研究院已動工建設，預計將在2019年投入使用。研究院的建設，將大大提升公司的研發(fā)能力和可持續(xù)發(fā)展能力，同時也為公司在高速發(fā)展時期擴產等需求提供了更大的物理空間。

  投資方簡介

  國投創(chuàng)業(yè)

  國投創(chuàng)業(yè)成立于1995年，是國務院批準設立的國家投資控股公司和中央直接管理的國有重要骨干企業(yè)，是首批國有資本投資公司改革試點企業(yè)。是國家開發(fā)投資公司為落實國家創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略,加快推動國家科技成果轉移轉化，按照市場化方式獨立運營的私募股權投資基金管理公司。 它的宗旨是服務國家創(chuàng)新戰(zhàn)略，聚焦科技成果轉化。

  中科院創(chuàng)投

  中科院科技成果轉化(母)基金是由中國科學院院長辦公會決策，中科院與科技部聯(lián)合發(fā)文明確提出的一項科技成果轉化重點舉措。中國科學院控股有限公司(國科控股)作為基石出資人具體牽頭組建市場化管理公司和團隊。該基金重點投資各領域前沿與關鍵技術創(chuàng)新成果項目，是中科院總部層面首次發(fā)起設立的科技成果產業(yè)化投資基金，院部的統(tǒng)籌協(xié)調、院內相關機構的資源支持、地方政府的積極響應和支持以及市場化運營管理，為該基金有效實現(xiàn)科技成果轉化使命提供了重要基礎和保障。