CIOE 2021｜濟(jì)南晶正電子攜多款鈮酸鋰單晶薄膜材料亮相

       ICC訊 2021年9月16-18日，濟(jì)南晶正電子科技有限公司參加中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(CIOE 2021)深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)6號(hào)館展位號(hào)：6E104、6E105，歡迎新老朋友蒞臨參觀指導(dǎo)交流!

      濟(jì)南晶正電子科技有限公司成立于2010年, 坐落于濟(jì)南市綜合保稅區(qū)，是一家致力于納微米級(jí)厚度光電、壓電單晶薄膜材料研發(fā)、生產(chǎn)及銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司產(chǎn)品涵蓋多種規(guī)格鈮酸鋰、鉭酸鋰單晶薄膜材料，可用于制作高性能調(diào)制器、濾波器、探測(cè)器、晶振及高密度信息存儲(chǔ)器件等，在光電、壓電、鐵電、太赫茲、紅外探測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛的發(fā)展前景和顯著的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，能夠帶來巨大經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

      鈮酸鋰單晶材料，與硅材料相比具有更高的電光系數(shù)和二階非線性系數(shù)（硅材料沒有二階非線性），在透光波段方面也具有更大優(yōu)勢(shì)。另一方面和體塊的鈮酸鋰材料相比，用鈮酸鋰薄膜材料和襯底材料較高的折射率對(duì)比度，制作的光波導(dǎo)具有更小的模場(chǎng)面積，能夠?qū)崿F(xiàn)更小的彎曲半徑，可以實(shí)現(xiàn)接近硅基光子器件的集成度。

       鈮酸鋰材料最新的發(fā)展方向是基于薄膜材料與CMOS半導(dǎo)體工藝相結(jié)合。利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體微加工技術(shù)并充分發(fā)揮鈮酸鋰薄膜高集成度、高折射率比、高電光系數(shù)等優(yōu)勢(shì)，在光子集成、量子集成芯片等方面具有重要應(yīng)用潛力。

       展會(huì)期間，歡迎大家前往6E104、6E105參觀指導(dǎo)交流!