ICC訊 日前臺(tái)積公司首度舉辦線上技術(shù)論壇及開放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innovation Platform, OIP)生態(tài)系統(tǒng)論壇,會(huì)中展示先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù)、三維積體電路(3DIC)系統(tǒng)整合解決方案、以及其設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)生態(tài)系統(tǒng)的最新發(fā)展。新冠肺炎疫情期間,臺(tái)積公司采用線上論壇,與客戶及生態(tài)系統(tǒng)伙伴們維持連系,共計(jì)超過 5,000位注冊(cè)參與者。
日前臺(tái)積公司首度舉辦線上技術(shù)論壇及開放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)論壇圖片來源:臺(tái)積電
臺(tái)積公司總裁魏哲家表示,全球社會(huì)面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)的時(shí)刻,人們仰賴科技來彼此溝通、互相打氣,客戶的創(chuàng)新設(shè)計(jì)讓整個(gè)世界變得更加智慧化、更具連結(jié)性,臺(tái)積公司致力于以最先進(jìn)的邏輯技術(shù)、連結(jié)實(shí)體與數(shù)位世界的特殊制程組合、先進(jìn)封裝技術(shù)、以及完備的系統(tǒng)整合解決方案來協(xié)助客戶釋放創(chuàng)新。
論壇焦點(diǎn)包括:
N5技術(shù)今年已進(jìn)入量產(chǎn),隨著產(chǎn)能持續(xù)拉升,良率提升的速度亦較前一世代快速。相較于前一世代的N7技術(shù),N5速度增快15%、功耗降低30%、邏輯密度增加達(dá)80%。奠基于N5技術(shù),臺(tái)積公司預(yù)計(jì)于2021年量產(chǎn)加強(qiáng)版的N5P制程,速度可再增快 5%,功耗再降低10%。
此外,臺(tái)積公司揭示了5納米家族的最新成員——N4制程,N4進(jìn)一步提升效能、功耗、以及密度來滿足多樣化產(chǎn)品的需求,除了減少光罩層來簡化制程,N4可借助5納米的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng),順利從N5升級(jí),并預(yù)計(jì)于2021年第四季開始試產(chǎn),2022年進(jìn)入量產(chǎn)。
展望下一世代技術(shù),臺(tái)積公司N3制程開發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期,將成為全球先進(jìn)的邏輯技術(shù)。相較于N5技術(shù),N3速度增快15%,功耗降低達(dá)30%,邏輯密度增加達(dá)70%。隨著半導(dǎo)體架構(gòu)的創(chuàng)新,臺(tái)積公司從5納米往前推進(jìn)了一個(gè)世代的制程。
此外,N12e制程已進(jìn)入試產(chǎn)階段,能夠提供強(qiáng)大的運(yùn)算效能與優(yōu)異的功耗效 率,支援人工智慧邊緣運(yùn)算應(yīng)用。N12e將臺(tái)積公司的FinFET電晶體技術(shù)導(dǎo)入邊緣裝置,藉由強(qiáng)化的超低漏電裝置與靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體。相較于前一世代的22ULL技術(shù),N12e的邏輯密度增加超過1.75倍,效能提升約1.5倍,功耗減少一半。做為12FFC+制程的加強(qiáng)版,N12e合應(yīng)用于支援人工智慧的物聯(lián)網(wǎng)裝置,提供強(qiáng)大的功能執(zhí)行力,例如,理解自然語言或影像分類,同時(shí)提升功耗效率。N12e也能夠支援用電池供電的強(qiáng)大人工智慧物聯(lián)網(wǎng)裝置。
臺(tái)積公司亦推出3DFabric,整合三維積體電路系統(tǒng)解決方案,透過穩(wěn)固的晶片互連打造出良好的系統(tǒng)。藉由不同的選項(xiàng)進(jìn)行前段晶片堆疊與后段封裝,3DFabric協(xié)助客戶將多個(gè)邏輯晶片連結(jié)在一起,并串聯(lián)高頻寬記憶體(HBM),或異質(zhì)小晶片,例如類比、輸入/輸出、以及射頻模組。3DFabric能夠結(jié)合后段3D與前段3D技術(shù)的解決方案,提供系統(tǒng)整合中的乘數(shù)效應(yīng)。同時(shí),3DFabric能與電晶體微縮互補(bǔ),持續(xù)提升系統(tǒng)效能與功能性,縮小尺寸外觀,并且加快 產(chǎn)品上市時(shí)程。3DFabric包含臺(tái)積公司的系統(tǒng)整合晶片(TSMC-SoICTM)技術(shù)、CoWoS技術(shù)、以及整合型扇出(InFO)技術(shù)。