下一代100G光纖接入網(wǎng)關(guān)鍵組件獲突破：SiFotonics 25G APD TO-Can

　　ICCSZ訊     SiFotonics Technologies近期正式推出針對(duì)下一代100G-PON光接入技術(shù)的硅光低成本25G APD TO-Can T6AP20M3-05，其1310nm靈敏度達(dá)-28.5dBm  (BER=1e-3)，為目前業(yè)界最高性能，此低成本高性能方案將助力100G光纖接入到千家萬戶成為現(xiàn)實(shí)。

　　SiFotonics 25G APD TO-Can T6AP20M3-05

　　虛擬現(xiàn)實(shí)、智能家居、4K/8K超高清視頻、物聯(lián)網(wǎng)等新興業(yè)務(wù)對(duì)光纖到戶的龐大帶寬訴求正在加速到來。作為后10G-PON時(shí)代光接入技術(shù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的主要方案之一，100G-PON提供25G單波速率，100G單纖容量，為每用戶提供1G以上超高帶寬，將目前的GPON/EPON接入速度提升至少40倍。目前，100G-PON已在IEEE/FSAN/ITU-T等標(biāo)準(zhǔn)化組織中立項(xiàng)，預(yù)計(jì)未來3-5年內(nèi)登場(chǎng)，然而其關(guān)鍵組件25G APD一直未成熟。

　　T6AP20M3-05基于SiFotonics自主開發(fā)的25G Ge/Si APD芯片AP2005，使用傳統(tǒng)低成本TO-46封裝。作為最好的雪崩材料之一，硅擁有很小的過剩噪聲因子和很大的增益帶寬積，這使得在高速(10Gb/s或更高)工作條件下，Ge/Si APD可以實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)III-V APD更高的靈敏度。此外，SiFotonics Ge/Si APD由8英寸CMOS晶圓廠代工，具有高產(chǎn)量、低成本優(yōu)勢(shì)，極適合未來的海量100G-PON光接入市場(chǎng)。

　　下圖為T6AP20M3-05的靈敏度測(cè)試結(jié)果：

　　Back-to-back sensitivity of 25G APD TO-Can T6AP20M3-05

　　(λ=1309.14nm, ER=9.5dB, 25.78Gbps, 2^31-1, NRZ, w/o CDR, 25ºC)

　　T6AP20M3-05 1310nm靈敏度達(dá)到-28.5dBm  (BER=1e-3)，此結(jié)果超過III-V器件，為目前業(yè)界最高性能。產(chǎn)品推出后市場(chǎng)反響強(qiáng)烈，短短兩個(gè)月已有超過三十家業(yè)界一流公司客戶，其優(yōu)異性能得到了多家客戶的驗(yàn)證。在最近的IEEE標(biāo)準(zhǔn)會(huì)議中，得到眾多國(guó)際一流廠商的支持。

　　SiFotonics CEO潘棟博士表示：“目前市場(chǎng)上的光纖到戶容量，有幾億用戶，這些用戶未來都會(huì)升級(jí)，有些已經(jīng)開始升級(jí)到10G-PON。我們能夠提供類似成本結(jié)構(gòu)的10G到100G芯片和組件技術(shù)，這會(huì)幫助推動(dòng)現(xiàn)有用戶升級(jí)到10G，并使得進(jìn)一步演進(jìn)到100G的路線變得現(xiàn)實(shí)清晰。”

　　關(guān)于SiFotonics：

　　SiFotonics Technologies致力于成為硅光子器件與集成技術(shù)的開創(chuàng)者與領(lǐng)導(dǎo)者，為客戶提供下一代高速光電集成解決方案。自2006年以來，公司一直致力于硅光子技術(shù)的研究與產(chǎn)品化，與CMOS Foundry合作開發(fā)專屬硅光產(chǎn)線。SiFotonics已實(shí)現(xiàn)鍺硅光電探測(cè)器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測(cè)器(Ge/Si APD)等產(chǎn)品的量產(chǎn)化，現(xiàn)已向市場(chǎng)全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其陣列，覆蓋波長(zhǎng)范圍850nm~1577nm。目前該產(chǎn)線也已完成硅光子集成技術(shù)的相關(guān)工藝調(diào)試，并成功試產(chǎn)高性能100G相干接收機(jī)芯片CR4Q01。不久，SiFotonics將推出面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的100G集成收發(fā)芯片。