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中芯國際:第二代FinFET N+1已進入客戶導入階段!

摘要:有報道稱,在大規(guī)模量產14nm工藝后,中芯國際的N+1代工藝已經進入客戶導入階段,可望于2021年進入量產。

 ICC訊  作為內地規(guī)模最大的晶圓代工廠,中芯國際的一舉一動都牽動人心。

  近日有報道稱,在大規(guī)模量產14nm工藝后,中芯國際的N+1代工藝已經進入客戶導入階段,可望于2021年進入量產。


  對此,中芯國際回應稱,該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產,第二代FinFET N+1工藝已經進入客戶導入階段,可望于2020年底小批量試產。

  按照這樣的時間表推測,中芯國際N+1代工藝確實會在2021年規(guī)模量產。

  N+1是中芯國際對其第二代先進工藝的代號,但從未明確具體數(shù)字節(jié)點,只是說相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%,之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

  今年8月底的時候,中芯國際曾表示,N+1工藝進展順利,已經進入客戶產品驗證階段。

  本文轉載自微信公眾號:中國半導體論壇

內容來自:中國半導體論壇
本文地址:http://3xchallenge.com//Site/CN/News/2020/09/23/20200923010746046679.htm 轉載請保留文章出處
關鍵字: 中芯國際
文章標題:中芯國際:第二代FinFET N+1已進入客戶導入階段!
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