英特爾加速芯片制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng)新

  ICC訊 7月27日，英特爾公司公布了公司有史以來最詳細(xì)的芯片制程工藝和封裝技術(shù)路線圖，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新，這些創(chuàng)新技術(shù)將不斷驅(qū)動(dòng)從現(xiàn)在到2025年乃至更遠(yuǎn)未來的新產(chǎn)品開發(fā)。此外，英特爾還公開了其代工服務(wù)首次合作的兩位重要客戶。

  除了公布其十多年來首個(gè)全新晶體管架構(gòu)RibbonFET和業(yè)界首個(gè)全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)PowerVia之外，英特爾還重點(diǎn)介紹了迅速采用下一代極紫外光刻(EUV)技術(shù)的計(jì)劃，即高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV。據(jù)悉，英特爾有望率先擁有業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。

  結(jié)合世界先進(jìn)的研發(fā)流程，英特爾推出過諸多深刻影響了半導(dǎo)體生態(tài)的行業(yè)首創(chuàng)技術(shù)，如應(yīng)變硅、高K金屬柵極和3D FinFET晶體管等?，F(xiàn)在，英特爾延續(xù)這一傳統(tǒng)制定創(chuàng)新路線圖，其中不僅包括晶體管級(jí)的技術(shù)增強(qiáng)，還將創(chuàng)新延伸至互聯(lián)和標(biāo)準(zhǔn)單元級(jí)，以加快每年制程工藝的提升速度。

  在披露芯片制程工藝路線圖時(shí)，英特爾宣布不再使用此前尺寸單位(如納米)的數(shù)字來命名的方式，而是引入了基于關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)包括性能、功耗和面積等的新命名體系。隨著行業(yè)越來越接近“1納米”節(jié)點(diǎn)，英特爾希望改變命名方式以更好地反映全新的創(chuàng)新時(shí)代。具體而言，在Intel 3之后的下一個(gè)節(jié)點(diǎn)將被命名為Intel 20A，這一命名反映了向新時(shí)代的過渡，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時(shí)代半導(dǎo)體的埃米時(shí)代。

  英特爾表示，對(duì)于未來十年走向超越“1納米”節(jié)點(diǎn)的創(chuàng)新，英特爾有著一條清晰的路徑。在窮盡元素周期表之前，摩爾定律都不會(huì)失效，英特爾將持續(xù)利用硅元素的力量不斷推進(jìn)創(chuàng)新。