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3分鐘了解量子點(diǎn)光纖放大器技術(shù)

摘要:量子點(diǎn)光纖放大器為解決全波帶、低噪聲光纖通信的重大需求提供了一種全新的途徑和實(shí)現(xiàn)方案。目前,量子點(diǎn)光纖放大器在實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)實(shí)現(xiàn),國(guó)內(nèi)外還沒(méi)有相應(yīng)的產(chǎn)品出現(xiàn),尚未進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。

什么是光纖放大器?

  光纖放大器是光纖通信網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)關(guān)鍵部件。雖然無(wú)線通信系統(tǒng)(4G、5G、…)獲得了極大的發(fā)展,但對(duì)于國(guó)家金融、保密、國(guó)防等,有線光纖通信系統(tǒng)仍然是極為重要和安全的一種主要手段。

  科技部2020年發(fā)布的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“寬帶通信和新型網(wǎng)絡(luò)”重點(diǎn)專項(xiàng),針對(duì)光纖傳輸網(wǎng)干線帶寬急劇增長(zhǎng)的重大需求,聚焦單模光纖傳輸容量增長(zhǎng)乏力的難題,將光傳輸系統(tǒng)的工作波長(zhǎng)范圍拓展至全波段,開(kāi)展全波段低噪聲光纖放大器研究。

  基于多材料體系的寬帶有源光纖,研究影響光放大器帶寬、噪聲、效率、串?dāng)_等問(wèn)題的物理機(jī)制,確定獲得全波段、低噪聲光放大器的技術(shù)途徑,研制系列寬波段低噪聲光放大器,搭建全波段光纖傳輸系統(tǒng)。

目前的光纖放大器

  目前,主力光纖放大器是工作在常規(guī)C波帶(1530~1565 nm)的摻鉺光纖放大器(Erbium doped Fiber Amplifiers, EDFAs)。在短波帶S波帶(1460~1530 nm),有摻銩光纖放大器(TDFAs)/增益移位的TDFAs。在長(zhǎng)波帶L波帶(1565~1625 nm),有少量的摻銩氟基光纖放大器等(但面市很少,L波帶的光纖放大器基本沒(méi)有解決)[1]。

  經(jīng)過(guò)多年的研究和發(fā)展,這些傳統(tǒng)的、摻天然離子的光纖放大器的帶寬、增益和噪聲等關(guān)鍵指標(biāo)已經(jīng)到達(dá)極限,其根本原因是受限于離子能級(jí)、能級(jí)展寬以及熒光壽命等是固有的、不可改變的內(nèi)秉屬性。

  面對(duì)通信主干網(wǎng)帶寬等需求日益增長(zhǎng)的重大挑戰(zhàn),傳統(tǒng)光纖放大器的技術(shù)是否已走到了盡頭?下一代光纖放大器的出路何在?

量子點(diǎn)光纖放大器

  什么是量子點(diǎn)?

  近年來(lái)人工納米晶體(量子點(diǎn))發(fā)展迅速。量子點(diǎn)制備方式主要有兩種:一是物理法(例如分子束外延自組織生長(zhǎng));二是化學(xué)納米法。本文不涉及物理方法,只涉及納米化學(xué)法制備的量子點(diǎn)(膠體量子點(diǎn))。量子點(diǎn)是準(zhǔn)零維納米材料,人們通過(guò)控制生長(zhǎng)條件來(lái)控制量子點(diǎn)粒徑,使之產(chǎn)生不同波長(zhǎng)的吸收峰、輻射峰、斯托克斯頻移以及不同的全寬半高(FWHM),這些特性是天然元素不具備的[2]。

  在紅外通訊波帶,有PbS、PbSe、CdSe、CdS和CdTe等,它們的吸收-輻射譜覆蓋了465~2340 nm的寬廣的波帶,其中鉛類的PbSe、PbS最具潛力。PbSe量子點(diǎn)直徑在4.5~9 nm之間,大致相當(dāng)于3000~30000個(gè)原子的尺度。它的能級(jí)為非簡(jiǎn)并,能級(jí)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單(因而直接復(fù)合輻射熒光很強(qiáng)),輻射-吸收波長(zhǎng)位于紅外波段(1100~2340 nm),斯托克斯頻移可達(dá)幾十納米(遠(yuǎn)大于鉺離子)。

  對(duì)于直徑為~5.5 nm的PbSe量子點(diǎn),其輻射峰和吸收峰分別位于1530 nm與1450 nm,輻射波長(zhǎng)正好落在C波帶中心附近。隨著量子點(diǎn)粒徑的增加,波長(zhǎng)會(huì)紅移,可擴(kuò)展到L波帶,甚至L++U波帶;如果粒徑減小,則波長(zhǎng)會(huì)向短波長(zhǎng)的S波帶移動(dòng)。

  量子點(diǎn)光纖

  目前,量子點(diǎn)光纖(Quantum dot doped fibers, QDFs)的實(shí)現(xiàn)主要有兩種技術(shù)路線:一是用化學(xué)氣相沉積等技術(shù)將PbS或PbSe量子點(diǎn)沉積在玻璃管內(nèi)壁,經(jīng)高溫熔融后形成量子點(diǎn)摻雜的玻璃棒,再經(jīng)拉絲,制得玻璃基質(zhì)的QDF。其光致熒光(Photoluminescence, PL)覆蓋了1100~1300 nm波長(zhǎng)區(qū),PL譜的半高全寬FWHM~130 nm。

  二是用紫外光刻技術(shù),將PbS量子點(diǎn)分散于紫外固化(UV)膠中,制作單波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的QDF。在410 nm抽運(yùn)下,測(cè)得PL中心峰波長(zhǎng)1080 nm,PL譜的FWHM~200 nm。

  以上兩種技術(shù)尚停留在實(shí)驗(yàn)室QDF制備觀測(cè)階段,還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)技術(shù)指標(biāo)有競(jìng)爭(zhēng)力的光纖放大。

  量子點(diǎn)光纖放大器

  實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的量子點(diǎn)光纖放大器(Quantum dot doped fiber amplifiers, QDFAs)主要有以下幾種技術(shù)方案:

  一是基于熔錐型光纖耦合式結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)光纖放大器。該技術(shù)利用大分子聚合物修飾PbS量子點(diǎn)的表面基團(tuán),將修飾后的PbS量子點(diǎn)涂敷在雙單模光纖熔錐耦合結(jié)構(gòu)的外表面上,用瞬逝波激勵(lì)量子點(diǎn)來(lái)產(chǎn)生PL,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)光的放大(圖1)。在中心峰波長(zhǎng)為1550 nm、1440~1640 nm帶寬范圍內(nèi),對(duì)-63 dBm的入射信號(hào)光功率獲得了17 dB的穩(wěn)定增益輸出。

圖1 瞬逝波激勵(lì)的雙單模光纖熔錐耦合結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)光纖放大器

  二是液態(tài)或液態(tài)固化纖芯的量子點(diǎn)光纖放大器。該技術(shù)方案早期以甲苯、正己烷等有機(jī)溶劑為本底,近年來(lái)以UV膠為纖芯本底,將PbSe或PbS膠體量子點(diǎn)混合后抽壓進(jìn)空芯光纖,形成量子點(diǎn)光纖。

  由973 nm單模激光器、隔離器、波分復(fù)用器、量子點(diǎn)摻雜光纖等構(gòu)成全光路結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)光纖放大器(圖2),在150 nm(1470~1620 nm,S+C+L)的寬波帶區(qū)間實(shí)現(xiàn)了信號(hào)光放大,其中1550 nm中心波帶區(qū)的帶寬達(dá)75 nm,開(kāi)關(guān)增益為16~19 dB,噪聲系數(shù)低至~3 dB。

  上述摻PbS量子點(diǎn)量子點(diǎn)光纖放大器的帶寬、C波帶增益平坦度、噪聲系數(shù)等指標(biāo)優(yōu)于常規(guī)的EDFAs,L波帶增益平坦度略低于經(jīng)優(yōu)化的多光纖結(jié)構(gòu)的EDFAs,但光纖的穩(wěn)定性還需經(jīng)受考驗(yàn)。

圖2 PbS-QDFA示意圖,其中SLED為寬帶光源、ISO為隔離器、WDM為波分復(fù)用器、LD為抽運(yùn)激光二極管、FOFC為光纖快連器、QDF為PbS量子點(diǎn)光纖。

工作原理:信號(hào)從寬帶光源出發(fā),經(jīng)A點(diǎn)和ISO,經(jīng)B點(diǎn)進(jìn)入WDM。另一路抽運(yùn)光從LD出發(fā)進(jìn)入WDM,信號(hào)光和抽運(yùn)光經(jīng)WDM之后,通過(guò)FOFC進(jìn)入增益光纖QDF,信號(hào)光在抽運(yùn)光的激勵(lì)下得到放大,至E點(diǎn)輸出。

  三是玻璃纖芯基底的量子點(diǎn)光纖放大器,有高溫玻璃和低溫玻璃之分。從技術(shù)性能指標(biāo)、穩(wěn)定性、成熟性以及與當(dāng)前光纖工業(yè)技術(shù)兼容等方面來(lái)看,玻璃基底的量子點(diǎn)光纖放大器最有前途。另外還有一些零星技術(shù),例如微波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)光纖放大器、以飛秒激光來(lái)處理玻璃基底中的量子點(diǎn)使之均勻等等。下面主要介紹用高溫熔融法制備的玻璃纖芯基底摻PbSe的量子點(diǎn)光纖放大器[3]。

  用高溫熔融法,在1400℃環(huán)境下制備鈉硼鋁硅酸鹽玻璃,玻璃中含有量子點(diǎn)的前驅(qū)體PbO和ZnSe。將玻璃拉絲,玻璃絲退火(~550℃)若干小時(shí),量子點(diǎn)在退火過(guò)程中生長(zhǎng)-晶化,制備成量子點(diǎn)光纖。

  圖3為PbSe量子點(diǎn)玻璃光纖(下)的形貌,圖中還給出了與普通光纖(上)的形貌比較。PbSe量子點(diǎn)光纖呈棕色,量子點(diǎn)均勻分布在光纖中,摻雜體積比可控在(0.2~2)%。量子點(diǎn)粒徑及粒徑分布跟熱處理?xiàng)l件有關(guān),熱處理溫度越高、時(shí)間越長(zhǎng),量子點(diǎn)粒徑越大;反之則反。量子點(diǎn)的數(shù)密度、粒子數(shù)分布、斯托克斯頻移主要跟基礎(chǔ)玻璃配方以及熱處理?xiàng)l件有關(guān)。

圖3 量子點(diǎn)光纖(下)與普通光纖(上)的形貌比較

  量子點(diǎn)光纖放大器的組成跟圖2相同,其中UV膠基底的PbS-QDF替換為玻璃基PbSe-QDF。量子點(diǎn)光纖放大器的工作波長(zhǎng)取決于量子點(diǎn)粒徑(或熱處理?xiàng)l件)。表1給出了高溫熔融法制備的鈉硼鋁硅酸鹽玻璃基PbSe量子點(diǎn)PL峰值波長(zhǎng)和中心粒徑之間的關(guān)系。

表1 高溫熔融法制備的鈉硼鋁硅酸鹽玻璃基PbSe量子點(diǎn)的PL峰值波長(zhǎng)隨粒徑的變化

  由表1可見(jiàn),量子點(diǎn)的PL峰值波長(zhǎng)可以覆蓋相當(dāng)寬廣的領(lǐng)域(O+E+S+C+L),幾乎覆蓋了全通信波帶。PL輻射強(qiáng)烈,斯托克斯頻移可寬達(dá)~100 nm,PL譜FWHM~200 nm。對(duì)于中心粒徑為4.76 nm的量子點(diǎn),其構(gòu)成的量子點(diǎn)光纖放大器實(shí)測(cè)的中心波長(zhǎng)為1310 nm、帶寬~80 nm、增益~15 dB、噪聲低至~3.3 dB[3]。

  如果采用中心粒徑為5.88 nm的量子點(diǎn),工作波長(zhǎng)區(qū)可擴(kuò)展到L波帶。跟C波帶EDFAs相比,量子點(diǎn)光纖放大器的帶寬更寬、噪聲更低、增益相當(dāng)、抽運(yùn)閾值功率相當(dāng)(<~10 mW)。與倏逝波激勵(lì)的錐形光纖放大器相比,這里量子點(diǎn)光纖放大器的增益大、抽運(yùn)閾值功率低,容易形成激射并形成光放大。

  QDFA之所以具有寬帶、低噪聲等優(yōu)勢(shì),除了采用的增益介質(zhì)量子點(diǎn)本身有強(qiáng)熒光輻射之外,關(guān)鍵在于量子點(diǎn)可以人工操控:通過(guò)控制量子點(diǎn)的粒徑及粒徑分布可以移動(dòng)和擴(kuò)大工作波長(zhǎng)區(qū);通過(guò)改變基礎(chǔ)玻璃配方和熱處理工藝可加大斯托克斯頻移,從而減小PL光的吸收和增強(qiáng)有效發(fā)射、降低噪聲;通過(guò)控制熱處理?xiàng)l件可改變粒子數(shù)密度以及粒子數(shù)分布,從而達(dá)到激勵(lì)閾值而又不至于很快飽和等等。而這些操作,對(duì)于天然的稀土離子的EDFAs是無(wú)法做到的。

  結(jié)論

  量子點(diǎn)光纖放大器為解決全波帶、低噪聲光纖通信的重大需求提供了一種全新的途徑和實(shí)現(xiàn)方案。目前,量子點(diǎn)光纖放大器在實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)實(shí)現(xiàn),國(guó)內(nèi)外還沒(méi)有相應(yīng)的產(chǎn)品出現(xiàn),尚未進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。本文作者也希望通過(guò)此文向公眾和工業(yè)界作科普介紹,以期引起關(guān)注,突破瓶頸,在工業(yè)規(guī)模水平上形成新一代的光纖放大器技術(shù)。


  參考文獻(xiàn)


  [1] 程成,程瀟羽.光纖放大原理及器件優(yōu)化設(shè)計(jì)[M].北京:科學(xué)出版社,2011.

  [2] 程成,程瀟羽.量子點(diǎn)納米光子學(xué)及應(yīng)用[M].北京:科學(xué)出版社,2017.

  [3] Cheng, C, Wang F J, and Cheng X Y. PbSe quantum-dot-doped broadband fiber amplifier based on sodium-aluminum-borosilicate-silicate glass[J]. Optics and Laser Technology, 2020,122(2):105812.


  文/程瀟羽,浙江大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院;程成,浙江工業(yè)大學(xué)光電子智能化技術(shù)研究所



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