GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

  ICC訊 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將超過30%。

  根據(jù)進(jìn)行的一項(xiàng)研究，新型材料半導(dǎo)體的特點(diǎn)是尺寸小且功率密度高，Global Market Insights預(yù)計(jì)，到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將超過45億美元。

  近年來(lái)，全球電信運(yùn)營(yíng)商不斷擴(kuò)大通訊領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，也為GaN和SiC功率半導(dǎo)體提供了廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景，比如在智能電網(wǎng)和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，新型材料的功率半導(dǎo)體需求將呈旺盛態(tài)勢(shì)。

  汽車應(yīng)用中對(duì)SiC的需求增加將推動(dòng)GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的擴(kuò)張

  到2020年，SiC細(xì)分市場(chǎng)將占據(jù)50%的市場(chǎng)份額，并且由于電動(dòng)汽車和航空航天領(lǐng)域?qū)iC功率器件的需求不斷增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2027年將保持20%的增長(zhǎng)率。例如，SiC MOSFET與硅相比，具有高達(dá)10倍的的臨界擊穿強(qiáng)度，可滿足各種汽車應(yīng)用中的高壓和功率要求。

  隨著混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車的市場(chǎng)份額不斷增加，進(jìn)一步增加了汽車行業(yè)中對(duì)SiC的需求。全球多地政府正在加快其籌資活動(dòng)和計(jì)劃，以增加電動(dòng)汽車的普及率，從而增加市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

  工業(yè)應(yīng)用中對(duì)高能效的需求將加速GaN和SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)機(jī)會(huì)

  到2020年，電源應(yīng)用將占據(jù)GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額的30%，在工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用中對(duì)GaN & SiC功率半導(dǎo)體需求的增長(zhǎng)推動(dòng)下，到2027年，其復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到23%左右。為了減少工業(yè)加工過程中的能量損失，電源市場(chǎng)中對(duì)SiC和GaN等高能效材料的需求不斷增長(zhǎng)，這將推動(dòng)市場(chǎng)需求。

  另一方面，市場(chǎng)參與者通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，在高壓和電流工業(yè)應(yīng)用中提供更強(qiáng)的可持續(xù)性，這將增加GaN和SiC功率半導(dǎo)體制造商的市場(chǎng)潛力。

  日本政府支持半導(dǎo)體制造業(yè)的有利舉措將刺激產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張

  2020年，亞太GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占總收入的65%以上，由于日本政府支持該國(guó)半導(dǎo)體制造的積極舉措，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到34%。例如，2020年4月，日本政府宣布提供22億美元的資金，以幫助其國(guó)內(nèi)制造商將其生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到中國(guó)，以克服供應(yīng)鏈障礙。

  GaN和SiC功率半導(dǎo)體的幾家主要廠商，例如三菱電機(jī)，瑞薩電子公司等，將加速該地區(qū)的市場(chǎng)份額增長(zhǎng)。這些行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者進(jìn)一步參與擴(kuò)大其業(yè)務(wù)活動(dòng)，這將為市場(chǎng)發(fā)展注入新的活力。