導(dǎo)言
由于 CMOS 微電子產(chǎn)業(yè)的成熟以及絕緣體上硅(SOI)和氮化硅(SiN)平臺(tái)的可用性,光子集成電路獲得了巨大的發(fā)展。然而,由于硅的間接帶隙導(dǎo)致其缺乏高效光源,因此有必要在電信波長(zhǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用中集成 III-V 材料,如基于 InP 的增益材料。將 InP 增益材料集成到 SOI 和 SiN 波導(dǎo)中的最有效方法之一是邊緣耦合,能提供寬帶、偏振無(wú)關(guān)的低耦合損耗(小于 1 dB)。
本文介紹的論文首次展示了通過(guò)微轉(zhuǎn)移印制技術(shù)(μTP)實(shí)現(xiàn)的邊緣耦合配置的全集成混合外腔激光器(HECL)。該混合外腔激光器在寬泛的驅(qū)動(dòng)電流范圍內(nèi)均可進(jìn)行單模激光操作,并具有高邊模抑制比(SMSR),是低成本、大批量制造光子集成電路的理想解決方案。
微轉(zhuǎn)移印刷集成
由于晶格常數(shù)不匹配和兼容性問(wèn)題,在硅上直接生長(zhǎng) InP 材料極具挑戰(zhàn)性。微轉(zhuǎn)移印刷 (μTP)提供了一種前景廣闊的解決方案,它能夠以亞微米級(jí)的精度,將器件或材料裸片高吞吐量、并行和可擴(kuò)展地轉(zhuǎn)移到任何平臺(tái)上的所需位置,而且不會(huì)浪費(fèi) III-V 材料。
圖 1 - a) 轉(zhuǎn)印 RSOA 與 SU8 聚合物波導(dǎo)之間的耦合示意圖,以及將光線推入 SiN 波導(dǎo)的錐度;b) 芯片的光學(xué)顯微鏡圖像,顯示轉(zhuǎn)印 RSOA 到 SiN 上,并與 SU8 聚合物波導(dǎo)和 SiN 波導(dǎo)及光諧振器(一維 PhC)耦合。在這項(xiàng)工作中,蝕刻面 InP 反射半導(dǎo)體光放大器(RSOA)通過(guò)電子束光刻技術(shù)(EBL)從其基底上切割、釋放,并通過(guò) μTP 異質(zhì)集成到預(yù)先刻有溝槽的 SiN 芯片、SU8 聚合物波導(dǎo)、SiN 波導(dǎo)和 SiN 光諧振器(一維光子晶體)上。通過(guò)低于 0.5 μm 的 μTP 精度,確保了 RSOAs 發(fā)射面的橫向?qū)?zhǔn),并利用薄蒸氣涂層 BCB 層實(shí)現(xiàn)了 90% 以上的高粘合率。
HECL 運(yùn)行和結(jié)果
圖 2 - a) 在不同驅(qū)動(dòng)電流下測(cè)量的一個(gè) HECL 的單模激光光譜;b) 脈沖驅(qū)動(dòng)電流(20 kHz 和 0.1% 占空比)下(a)中 HECL 的單模激光光譜。為了評(píng)估激光器的運(yùn)行情況,對(duì)基于與 SiN 光學(xué)諧振器耦合的 μTP RSOAs 的全集成 HECL 進(jìn)行了電氣和光學(xué)表征。圖 2 顯示了其中一個(gè) HECL 在連續(xù)波(CW)和脈沖(20 kHz,0.1% 占空比)工作時(shí)測(cè)得的激光光譜。
在連續(xù)波工作模式下,HECL 在 40 mA 至 65 mA 的驅(qū)動(dòng)電流范圍內(nèi)顯示出 30-40 dB 的單模激光工作狀態(tài)。在工作期間,由于增益和芯片發(fā)熱,激光波長(zhǎng)會(huì)隨著驅(qū)動(dòng)電流的增加而移動(dòng)。在脈沖操作中,由于加熱作用大大降低,因此在所研究的整個(gè)驅(qū)動(dòng)電流范圍內(nèi),激光波長(zhǎng)都能保持穩(wěn)定,這證明了穩(wěn)定單模操作的潛力。
結(jié)論
這項(xiàng)研究首次展示了通過(guò)微轉(zhuǎn)移印制技術(shù)實(shí)現(xiàn)的邊緣耦合配置的全集成 HECL。該 HECL 在很寬的驅(qū)動(dòng)電流范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了單模運(yùn)行,SMSR 在 40 dB 范圍內(nèi)。使用 μTP 的集成方法無(wú)需昂貴而耗時(shí)的有源對(duì)準(zhǔn),為低成本、大批量制造光子集成電路提供了可能。
通過(guò) μTP 成功展示了完全集成的 HECL,為進(jìn)一步推動(dòng)光子集成電路技術(shù)的發(fā)展開(kāi)辟了途徑,使高性能、高性價(jià)比和可擴(kuò)展的光子器件得以實(shí)現(xiàn),適用于電信、傳感和光計(jì)算等各種應(yīng)用。