消息稱聯(lián)電擬在新加坡建新12英寸晶圓廠：可能生產40nm以下制程的芯片

  ICC訊  近日有市場消息稱，聯(lián)電計劃投資約 229 億元人民幣在新加坡建設第二座 12 英寸晶圓廠，月產能至少 2 萬~3 萬片，可能生產 40nm 以下制程的芯片。

  據(jù)報道，聯(lián)電對此回應稱，新加坡本來就有設廠，在全球有據(jù)點的地方持續(xù)評估建廠規(guī)劃，不過目前還沒有確切地點。

  據(jù)了解，聯(lián)電新加坡廠 Fab 12i 位于白沙晶圓科技園區(qū)，于 2004 年開始量產，月產能為 5 萬片，制程為 0.13 微米至 40nm，產品涵蓋 FPGA、無線通訊芯片等。

  業(yè)界人士認為，聯(lián)電此次可能采 40nm 以下制程，如 28nm 制程生產芯片。

  據(jù)悉，晶圓代工產能持續(xù)供不應求，聯(lián)電 5 月 1 日、7 月 1 日代工報價已漲過兩波。

  由于產能不足，聯(lián)電計劃擴充在臺南科學園區(qū) Fab 12A P6 廠區(qū)產能，將采用 28nm 制程，月產能 2.75 萬片，客戶將以議定價格預先支付訂金，預計新產能將于 2023 年第 2 季度開出。